CY7C245A
2K ×8的可重复编程的PROM注册
特点
•窗的可重编程
• CMOS的最佳速度/功耗
•高速
—
15 ns的地址建立
—
10 ns的时钟输出
•低功耗
—
330毫瓦（商业）为-25 NS
—
660毫瓦（军事）
•可编程同步或异步输出
启用
•片上沿触发寄存器
•可编程异步寄存器（ INIT ）
• EPROM技术， 100 ％可编程
•斯利姆， 300万， 24引脚塑料或密封DIP
• 5V
±10%
V
CC
，商业和军事
• TTL兼容的I / O
•直接替代双极PROM中
•能够承受大于2001V的静电
放电
逻辑框图
INIT
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
CP
COLUMN
地址
地址
解码器
可编程
初始化WORD
ROW
地址
可编程
ARRAY
多路复用器
O
7
功能说明
该CY7C245A是一个高性能， 2K ×8 ，电
封装在一个纤细300mil的可编程的只读存储器
塑料或密封DIP 。在陶瓷封装可以是
配备有一个擦除窗口;当暴露于UV光
PROM中被擦除，然后可以重新编程。该
存储单元采用成熟的EPROM浮栅技术
和字节宽的智能编程算法。
该CY7C245A取代双极型器件，并提供了研华
低功耗，可重编程性，卓越的perfor-的产品关键词
曼斯和高产量的编程。在EPROM单元需要
只有12.5V的超高压和低电流要求的
让这帮编程。在EPROM单元允许每个
存储器位置被测试为100％，因为每个位置是
写入，擦除，并多次到encap-行使前
sulation 。每个PROM也测试了AC性能
保证后顾客编程产品将
满足交流的技术指标。
该CY7C245A具有异步初始化函数（ INIT ） 。
此功能可作为装入一个第二千〇四十九8位字
片内寄存器。它是用户可编程的与任何所需
字，或者可以用作在一个预置或清除功能
输出。 INIT是由一个低的水平，而不是上升沿触发。
销刀豆网络gurations
DIP顶视图
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
O
0
O
1
O
2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
V
CC
A
8
A
9
A
10
INIT
E/E
S
CP
O
7
O
6
O
5
O
4
O
3
O
6
O
8-BIT
边沿
引发
注册
O
O
3
5
4
O
O
O
0
2
1
E/E
S
CP
D
C
Q
可编程
多路复用器
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
NC
O
0
4 3 2 1 282726
25
5
24
6
23
7
22
8
21
9
20
10
19
11
18
121314151617
O1
O2
GND
NC
O3
O4
O5
A5
A6
A7
NC
V
CC
A8
A9
LCC / PLCC （不透明只）顶视图
A
10
INIT
E/E
S
CP
NC
O
7
O
6
选购指南
7C245A-15
最小地址建立时间
最大时钟到输出
最大工作电流标准
广告
军事
15
10
120
7C245A-18
18
12
120
120
7C245A-25
25
12
90
120
7C245A-35
35
15
90
120
单位
ns
ns
mA
mA
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-04007牧师* D
•
3901北一街
•
圣荷西
,
CA 95134
•
408-943-2600
修订后的2003年11月4日
CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
