CY7C1354C ， CY7C1356C
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文档标题： CY7C1354C / CY7C1356C 9兆位（ 256千×五百一十二分之三十六K＆times 18 ）流水线式SRAM与NOBL ™架构
文件编号： 38-05538
启示录
**
*A
ECN号
242032
278130
服从
日期
见ECN
见ECN
原稿。的
变化
RKF
RKF
新的数据表
变边界扫描顺序来匹配这些设备的乙启
改变TQFP PKG无铅TQFP封装的订购信息节
无铅BG和BZ包的可用性添加评论
改变了ISB1和ISB3从DC特性表如下
ISB1 225毫安> 130毫安， 200 MHz的-> 120毫安， 167 MHz的-> 110毫安
ISB3 ： 225兆赫-> 120毫安， 200 MHz的-> 110毫安， 167 MHz的->百毫安
BG和BZ PKG无铅部件编号添加到订货信息部分
改为225 MHz至250 MHz的
地址扩展针脚/球在引脚的所有包被修改
根据JEDEC标准
250 ， 200 ， 166 MHz的交流/直流表和选择无阴影频率
指南
变
JA
和
JC
从25日和9 TQFP封装
° C / W
以29.41和
6.13
° C / W
分别
变
JA
和
JC
针对BGA封装25和6
° C / W
34.1和14.0
° C / W
分别
变
JA
和
JC
为FBGA封装27和6
° C / W
16.8和3.0
° C / W
分别
修改V
OL ，
V
OH
测试条件
增加了无铅产品信息
更新订购信息表
从初步改为决赛
改变了我
SB2
从35到40毫安
更新订购信息表
从V在笔记＃ 15修改的测试条件
DDQ
＆ LT ; V
DD
到V
DDQ
V
DD
赛普拉斯半导体公司对页当前第1更改的地址
“ 3901北一街”到“ 198冠军苑”
改变三态为三态。
修改“输入加载”到“输入漏电流除ZZ和MODE ”的
电气特性表。
更换套餐名称列与包图中的订购Infor公司
息表。
添加的最大额定电源电压的V
DDQ
相对于GND
改变的吨
TH
, t
TL
从25 ns至20 ns的和T
TDOV
从5 ns至10 ns的TAP交流
开关特性表。
更新了订购信息表。
变化的说明
*B
284431
见ECN
VBL
*C
320834
见ECN
PCI
*D
*E
*F
351895
377095
408298
见ECN
见ECN
见ECN
PCI
PCI
RXU
*G
501793
见ECN
VKN
*H
2756340
08/26/2009 VKN / AESA更新的模板
包括软错误免疫性数据
修改订购信息表由包括可用的零件和
修改之后的免责条款的订购信息。
09/19/2010
NJY
额外
更新
额外
和
小修改，并在新的模板进行更新。
去除过时的部件号。
更新
更新
*I
3033272
*J
*K
3052882
3186089
10/08/2010
03/02/2011
NJY
NJY
文件编号： 38-05538牧师* K
第31页32
CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
