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CY7C199-15PC 参数 Datasheet PDF下载

CY7C199-15PC图片预览
型号: CY7C199-15PC
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内容描述: 32K x 8静态RAM [32K x 8 Static RAM]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
文件页数/大小: 16 页 / 315 K
品牌: CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
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CY7C199
电气特性
在整个工作范围
[3]
(续)
7C199-20
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
输出高
电压
输出低
电压
输入高
电压
输入低
电压
输入负载
当前
输出漏
当前
V
CC
操作
电源电流
GND < V
I
& LT ; V
CC
GND < V
I
& LT ; V
CC
,
输出禁用
V
CC
=最大,
I
OUT
= 0 mA时,
f = f
最大
= 1/t
RC
Com'l
L
米尔
测试条件
V
CC
=最小值,我
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小值,我
OL
= 8.0毫安
2.2
–0.5
–5
–5
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+0.3V
0.8
+5
+5
150
90
170
30
5
10
0.05
15
2.2
-0.5
–5
–5
马克斯。
7C199-25
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+0.3V
0.8
+5
+5
150
80
150
30
5
10
0.05
15
2.2
-0.5
–5
–5
马克斯。
7C199-35
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+0.3V
0.8
+5
+5
140
70
150
25
5
10
0.05
15
2.2
-0.5
–5
–5
马克斯。
7C199-45
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+0.3V
0.8
+5
+5
140
70
150
25
5
10
0.05
15
马克斯。
单位
V
V
V
V
µA
µA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
µA
mA
I
SB1
自动CE
掉电
电流 -
TTL输入
自动CE
掉电
电流 -
CMOS输入
最大。 V
CC
, CE& GT ; V
IH
, Com'l
V
IN
& GT ; V
IH
L
或V
IN
& LT ; V
IL
, f = f
最大
Com'l
最大。 V
CC
,
CE > V
CC
– 0.3V
L
V
IN
& GT ; V
CC
- 0.3V或
V
IN
& LT ; 0.3V , F = 0
米尔
I
SB2
]
电容
[4]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C,F = 1MHz时,
V
CC
= 5.0V
马克斯。
8
8
单位
pF
pF
注意:
4.测试开始后任何设计或工艺变化,可能会影响这些参数。
文件编号: 38-05160牧师**
第16页3