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CY7C146-55JC 参数 Datasheet PDF下载

CY7C146-55JC图片预览
型号: CY7C146-55JC
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内容描述: 2Kx8双口静态RAM [2Kx8 Dual-Port Static RAM]
分类和应用:
文件页数/大小: 18 页 / 341 K
品牌: CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
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CY7C132/CY7C136
CY7C142/CY7C146
开关特性
在整个工作范围
[6, 11]
(续)
7C132-35
7C136-35
7C142-35
7C146-35
写周期
[15]
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
HZWE
t
LZWE
t
BLA
t
BHA
t
BLC
t
BHC
t
PS
t
WB
t
WH
t
BDD
t
DDD
t
WDD
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
R / W脉宽
数据建立到写结束
从写端数据保持
R / W低到高Z
[10]
R / W高到低Z
[10]
BUSY LOW从地址匹配
从地址不匹配繁忙的
[16]
BUSY LOW从CE LOW
从CE HIGH HIGH忙
[16]
端口设置为优先
后BUSY LOW R / W低
[17]
R / W后, BUSY高高
繁忙的有效数据
写数据有效读取数据有效
写脉冲数据延迟
5
0
30
35
18
18
25
25
25
25
25
25
0
20
20
20
20
5
0
35
45
18
18
35
35
35
35
35
35
35
30
30
2
0
25
15
0
20
0
25
25
25
25
5
0
35
45
18
18
45
45
45
45
45
45
45
35
35
2
0
30
20
0
20
0
30
30
30
30
55
40
40
2
0
30
20
0
25
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
7C132-45
7C136-45
7C142-45
7C146-45
7C132-55
7C136-55
7C142-55
7C146-55
忙/中断时序
中断时序
[19]
t
WINS
t
EINS
t
插件
t
OINR
t
EINR
t
INR
R / W中断设置时间
CE中断设置时间
地址,中断设置时间
OE中断复位时间
[16]
CE中断复位时间
[16]
地址中断复位时间
[16]
ns
ns
ns
ns
ns
ns
注意事项:
11.测试条件假设为5纳秒或更少的信号转换时间,定时1.5V的参考电平, 0输入脉冲电平为3.0V指定的输出负载
I
OL
/I
OH ,
和30 pF负载电容。
12. AC测试条件使用V
OH
= 1.6V和V
OL
= 1.4V.
13.在任何给定的温度和电压条件下对于任何给定的设备,叔
HZCE
小于吨
LZCE
和T
HZOE
小于吨
LZOE
.
14. t
LZCE
, t
LZWE
, t
HZOE
, t
LZOE ,
t
HZCE ,
和T
HZWE
用C进行测试
L
= 5pF的作为交流测试负载(b)部分。转变是从稳态电压测量± 500 mV的。
存储器15内写入时间由CE低和R / W低的重叠限定。这两个信号必须为低电平启动写,要么信号可以终止
一个写操作变为高电平。的数据输入的设置和保持时间应参考该终止写信号的上升沿。
16.这些参数是从所述输入信号变化的测量,直到在输出引脚变为高阻抗状态。
17. CY7C142 / CY7C146只。
18.端口A ,其中端口A的优先级写操作,叶端口B的输出不受干扰,直到执行下列操作之一后,一个访问时间的数据:
忙对端口B变为高电平。
端口B的地址切换。
CE端口B被触发。
端口B R / W在有效读取被触发。
19. 52引脚PLCC ,只有PQFP版本。
6