CY7C1399B
开关特性
在整个工作范围
[6]
1399B-10
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
写周期
[9, 10]
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
HZWE
t
LZWE
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE低到高Z
[9]
WE高到低Z
[7]
3
10
8
7
0
0
7
5
0
7
3
12
8
8
0
0
8
7
0
7
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
[7]
OE高到高Z
[7, 8]
CE低到低Z
[7]
CE高到高阻
[7, 8]
CE为低电时
CE高到掉电
0
10
3
5
0
12
0
5
3
6
3
10
5
0
5
10
10
3
12
5
12
12
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
1399B-12
分钟。
马克斯。
单位
注意事项：
6.测试条件假设为3毫微秒或更少的信号的过渡时间，定时1.5V的参考电平，为0的输入脉冲电平到3.0V ，并在指定的输出负载
I
OL
/I
OH
和电容C
L
= 30 pF的。
7.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
8. t
HZOE
, t
HZCE
, t
HZWE
用C指定
L
= 5 pF的在交流测试负载。转变是从稳态电压测量± 500 mV的。
9.存储器的内部写入时间由CE低电平和WE低的重叠限定。这两个信号必须为低电平启动写，要么信号可以终止
一个写操作变为高电平。的数据输入的设置和保持时间应参考该终止写信号的上升沿。
10.写周期＃ 3的最低写入周期时间（我们控制， OE低）为t的总和
HZWE
和T
SD
.
文件编号： 38-05071牧师* C
第10 4
CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
