CY7C1345B
电容
[8]
参数
C
IN
C
I / O
描述
输入电容
I / O容量
测试条件
T
A
= 25
°
C，F = 1MHz时，
V
DD
= 5.0V
马克斯。
4.0
4.0
单位
pF
pF
交流测试负载和波形
产量
Z
0
=50Ω
R
L
=50Ω
V
L
=1.5V
R1=317Ω
3.3V
产量
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
3.0V
R2 = 351Ω GND
10%
所有的输入脉冲
90%
90%
10%
上升时间： 1 V / ns的
下降时间： 1 V / ns的
(a)
(b)
开关特性
在整个工作范围
[9]
-117
参数
t
CYC
t
CH
t
CL
t
AS
t
AH
t
CDV
t
DOH
t
ADS
t
ADH
t
WES
t
WEH
t
ADVS
t
ADVH
t
DS
t
DH
t
CES
t
CEH
t
CHZ
t
CLZ
t
EOHZ
t
EOLZ
t
EOV
时钟周期时间
时钟高
时钟低
地址建立CLK兴起之前
地址保持CLK崛起后
数据输出有效CLK上升后
数据输出保持CLK上升后
ADSP ADSC建立CLK兴起之前
,
ADSP ADSC保持CLK崛起后
,
BWS
[1:0]
， GW ， BWE建立CLK兴起之前
BWS
[1:0]
， GW ， BWE举行CLK崛起后
ADV建立CLK兴起之前
ADV保持CLK崛起后
数据输入建立CLK兴起之前
数据输入保持CLK上升后
芯片使能建立
芯片使能保持CLK崛起后
时钟到高阻
[10, 11]
时钟为低-Z
[10, 11]
OE高到输出高阻
OE低到输出有效
[10, 12]
-100
马克斯。
分钟。
10
4.0
4.0
2.0
0.5
7.5
8.0
2.0
2.0
0.5
2.0
0.5
2.0
0.5
2.0
0.5
2.0
0.5
3.5
3.5
0
3.5
3.5
0
3.5
3.5
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
8.5
3.0
3.0
2.0
0.5
2.0
2.0
0.5
2.0
0.5
2.0
0.5
2.0
0.5
2.0
0.5
0
0
OE低到输出低-Z
[10, 12]
注意事项：
8.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
9.除非另有说明，测试条件假定为2.5毫微秒或更少的信号的过渡时间，定时1.25V的参考等级，为0的输入脉冲电平为2.5V ，并
指定I的输出负载
OL
/I
OH
和负载电容。示出在（a）和交流测试负载的（ b）所示。
10. t
CHZ
, t
CLZ
, t
EOHZ
和叔
EOLZ
被指定采用5 pF的负载电容在交流测试负载（b）部分。过渡测
±200
毫伏从稳态电压。
11.在任何给定的电压和温度，叔
CHZ
（最大）小于吨
CLZ
（分钟） 。
12.这个参数进行采样，而不是100 ％测试。
9
CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
