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    CY7C141-25JC 参数 Datasheet PDF下载

    CY7C141-25JC图片预览
    型号： CY7C141-25JC
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 1K ×8双端口静态RAM [1K x 8 Dual-Port Static RAM]
    分类和应用： 内存集成电路静态存储器
    文件页数/大小： 19 页 / 573 K
    品牌： CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号CY7C141-25JC的Datasheet PDF文件第5页浏览型号CY7C141-25JC的Datasheet PDF文件第6页浏览型号CY7C141-25JC的Datasheet PDF文件第7页浏览型号CY7C141-25JC的Datasheet PDF文件第8页浏览型号CY7C141-25JC的Datasheet PDF文件第10页浏览型号CY7C141-25JC的Datasheet PDF文件第11页浏览型号CY7C141-25JC的Datasheet PDF文件第12页浏览型号CY7C141-25JC的Datasheet PDF文件第13页  
    CY7C130/CY7C131
    CY7C140/CY7C141
    开关波形
    （续）
    写周期第1号（ OE三态数据的I / O -任一端口
    [15, 22]
    任何一个端口
    t
    WC
    地址
    t
    SCE
    CE
    t
    SA
    读/写
    t
    SD
    数据
    IN
    OE
    t
    HZOE
    D
    OUT
    高阻抗
    数据有效
    t
    HD
    t
    AW
    t
    PWE
    t
    HA
    写周期2号（ R / W三美国数据的I / O -任一端口）
    [16, 23]
    t
    WC
    地址
    t
    SCE
    CE
    t
    SA
    读/写
    t
    SD
    数据
    IN
    t
    HZWE
    数据
    OUT
    注意事项：
    22.如果OE是低电平期间， R / W控制的写周期，写脉冲宽度必须满足t较大
    PWE
    或T
    HZWE
    + t
    SD
    允许数据I / O管脚进入高阻抗
    和用于将数据放置在总线上用于所需吨
    SD
    .
    23.如果同时发生或R / W低的过渡后， CE LOW过渡，输出保持在高阻抗状态。
    t
    HA
    t
    AW
    t
    PWE
    t
    HD
    数据有效
    t
    LZWE
    高阻抗
    文件编号： 38-06002牧师* D
    第9页的19

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