CY7C1069AV33
AC开关特性
在整个工作范围
参数
读周期
t
动力
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
写周期
[10, 11]
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
LZWE
t
HZWE
写周期时间
CE
1
LOW / CE
2
HIGH到写入结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
我们前高后低-Z
[9]
9]
[7]
–10
描述
V
CC
（典型值）的第一接入
[8]
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE
1
LOW / CE
2
高到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
[9]
9]
[9]
9]
–12
马克斯。
分钟。
1
12
10
12
3
10
5
12
6
1
5
6
3
5
6
0
10
12
12
8
8
0
0
8
6
0
3
5
6
马克斯。
单位
ms
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
分钟。
1
10
3
1
3
0
OE高来高-Z
[
CE
1
LOW / CE
2
前高后低-Z
CE
1
HIGH / CE
2
从低到高-Z
[
CE
1
LOW / CE
2
HIGH到Power -UP
[10]
CE
1
HIGH / CE
2
低到掉电
[10]
10
7
7
0
0
7
5.5
0
3
WE低到高-Z
[
数据保存波形
数据保持方式
V
CC
3.0V
t
CDR
CE
V
DR
＆ GT ; 2V
3.0V
t
R
注意事项：
6.有效的SRAM操作不会发生，直到电源均达到最低工作V
DD
（ 3.0V ） 。只要1毫秒（T
动力
）到达后，
最小工作V
DD
正常SRAM操作开始，包括降低V
DD
向数据保留（Ⅴ
CCDR
， 2.0V ）的电压。
7.测试条件假设为3毫微秒或更少的信号的过渡时间，定时1.5V的参考电平，为0的输入脉冲电平到3.0V ，并在指定的输出负载
I
OL
/I
OH
和输电线路的负荷。试验条件为交流测试负载的读周期利用输出部分地示出加载） ，除非另有规定。
8.这部分有一个电压调节器降压为3V的电压在内部2V 。吨
动力
时，必须首先提供一个读/写操作是前
开始。
9. t
HZOE
, t
HZSCE
, t
HZWE
和T
LZOE
, t
LZCE
和叔
LZWE
采用5 pF的负载电容被指定为在交流测试负载（ b）所示。过渡测
±200
从毫伏
稳态电压。
10.这些参数由设计保证，未经测试。
11.存储器的内部写入时间由的重叠限定
CE
1
LOW / CE
2
高
和WE为低电平。 CE
1
我们必须为低电平随着CE
2
高启动
写，以及任何这些信号的转换可以终止写入。输入数据的建立时间和保持时间应参考的前缘
信号终止写。
12.写周期第3的最低写入周期时间（我们控制， OE低）为t的总和
HZWE
和T
SD
.
文件编号： 38-05255牧师* ˚F
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