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CY7C1049B-15VC 参数 Datasheet PDF下载

CY7C1049B-15VC图片预览
型号: CY7C1049B-15VC
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内容描述: 512K ×8静态RAM [512K x 8 Static RAM]
分类和应用:
文件页数/大小: 9 页 / 292 K
品牌: CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
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CY7C1049B
开关特性
在整个工作范围
[4]
-12
参数
读周期
t
动力
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
LZWE
t
HZWE
V
CC
(典型值)的第一接入
[5]
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
[7]
OE高到高Z
[6, 7]
-15
马克斯。
分钟。
1
15
12
15
3
12
6
15
7
0
6
7
3
6
7
0
12
15
15
12
12
0
0
12
8
0
3
6
7
17
12
12
0
0
12
8
0
3
0
3
0
3
马克斯。
分钟。
1
17
-17
马克斯。
单位
ms
ns
17
17
8
7
7
17
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
8
ns
描述
分钟。
1
12
3
0
3
0
CE低到低Z
[7]
CE高到高阻
[6, 7]
CE为低电时
CE高到掉电
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE高到低Z
[7]
WE低到高Z
[6, 7]
写周期
[8, 9]
12
10
10
0
0
10
7
0
3
数据保持特性
在整个工作范围
参数
V
DR
I
CCDR
t
CDR[3]
t
R[10]
描述
V
CC
数据保留
数据保持电流
芯片取消到数据保留时间
手术恢复时间
Com'l
L V
CC
= V
DR
= 2.0V,
CE > V
CC
– 0.3V
V
IN
& GT ; V
CC
- 0.3V或V
IN
& LT ; 0.3V
条件
[11]
分钟。
2.0
200
0
t
RC
马克斯。
单位
V
µA
ns
ns
注意事项:
4.测试条件假设为3毫微秒或更少的信号的过渡时间,定时1.5V的参考电平,为0的输入脉冲电平到3.0V ,并在指定的输出负载
I
OL
/I
OH
和30 pF负载电容。
5.这部分有一个电压调节器,它由5V电压降压至3.3V内部。吨
动力
时,必须在读/写操作前初始提供
被启动。
6. t
HZOE
, t
HZCE
和叔
HZWE
被指定采用5 pF的负载电容在交流测试负载(b)部分。过渡测
±500
毫伏从稳态电压。
7.在任何给定的温度和电压条件下,叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
8.存储器的内部写入时间由CE低的重叠所定义,和WE为低电平。 CE和我们必须低到开始写,并任过渡
这些信号可以终止写操作。输入数据建立和保持时间应参考该终止写信号的上升沿。
9.最小写入周期时间为写周期第3号(WE控制, OE为低电平)是t的总和
HZWE
和T
SD
.
10. t
r
< 3ns的所有速度
11.无输入可能超过V
CC
+ 0.5V.
文件编号: 38-05169牧师* B
第4页第9