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CY7C1049B-20VI 参数 Datasheet PDF下载

CY7C1049B-20VI图片预览
型号: CY7C1049B-20VI
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内容描述: 512K ×8静态RAM [512K x 8 Static RAM]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
文件页数/大小: 10 页 / 135 K
品牌: CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
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CY7C1049B
最大额定值
(以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线,没有测试。 )
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
在V电源电压
CC
以相对GND
[2]
.... -0.5V至+ 7.0V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[2]
....................................- 0.5V至V
CC
+ 0.5V
直流输入电压
[2]
.................................- 0.5V至V
CC
+ 0.5V
目前进入输出( LOW ) ........................................ 20毫安
静电放电电压............................................ >2001V
(每MIL -STD -883方法3015 )
闩锁电流.............................................. ....... >200毫安
工作范围
范围
广告
产业
环境
温度
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
V
CC
4.5V–5.5V
电气特性
在整个工作范围
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
I
SB1
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
[2]
输入负载电流
输出漏
当前
V
CC
操作
电源电流
自动CE
掉电电流
-TTL输入
自动CE
掉电电流
-CMOS输入
GND < V
I
& LT ; V
CC
GND < V
OUT
& LT ; V
CC
,
输出禁用
V
CC
=最大。
,
f = f
最大
= 1/t
RC
最大。 V
CC
, CE& GT ; V
IH
V
IN
& GT ; V
IH
or
V
IN
& LT ; V
IL
, f = f
最大
最大。 V
CC
,
CE > V
CC
– 0.3V,
V
IN
& GT ; V
CC
– 0.3V,
或V
IN
& LT ; 0.3V , F = 0
Com'l
Com'l
Ind'l
Ind'l
注意:
2.最小电压为 - 2.0V为小于20纳秒的脉冲持续时间。
测试条件
V
CC
=最小值,我
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小值,我
OL
= 8.0毫安
7C1049B-12
分钟。
2.4
0.4
2.2
–0.3
–1
–1
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
+1
240
40
马克斯。
7C1049B-15
分钟。
2.4
0.4
2.2
–0.3
–1
–1
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
+1
220
40
马克斯。
7C1049B-17
分钟。
2.4
0.4
2.2
–0.3
–1
–1
V
CC
+ 0.3
0.3
+1
+1
195
40
马克斯。
单位
V
V
V
V
µA
µA
mA
mA
I
SB2
8
L
L
-
-
-
8
-
-
-
8
0.5
8
0.5
mA
mA
mA
mA
文件编号: 38-05169修订版**
第10 2