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CY7C1041CV33-12ZXC 参数 Datasheet PDF下载

CY7C1041CV33-12ZXC图片预览
型号: CY7C1041CV33-12ZXC
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内容描述: 4兆位( 256K ×16 )静态RAM [4-Mbit (256K x 16) Static RAM]
分类和应用:
文件页数/大小: 12 页 / 599 K
品牌: CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
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CY7C1041CV33
4兆位( 256K ×16 )静态RAM
特点
•引脚相当于CY7C1041BV33
•温度范围
- 商业: 0 ° C至70℃
- 工业级: -40 ° C至85°C
- 汽车-A : -40 ° C至85°C
- 汽车-E : -40°C至125°C
•高速
— t
AA
= 10纳秒
•低有功功率
- 324毫瓦(最大)
• 2.0V数据保留
•自动断电时取消
• TTL兼容的输入和输出
•易于内存扩展CE和OE特点
•提供无铅和无无铅44引脚400 MIL-
SOJ , 44引脚TSOP II和48球FBGA封装
功能说明
[1]
该CY7C1041CV33是一个高性能的CMOS静态
RAM (16位)组织为262,144字。
写设备通过采取芯片使能实现
( CE)和写使能( WE)输入低电平。如果低字节使能
( BLE )为低电平,然后从I / O引脚(数据I / O
0
-I / O
7
) ,被写入
插入地址引脚指定的位置(A
0
–A
17
) 。如果字节
高电平使能( BHE )为低电平,然后从I / O引脚上的数据
( I / O
8
-I / O
15
)被写入到所指定的位置的
地址引脚(A
0
–A
17
).
从设备读通过取芯片完成
使能( CE)和输出使能( OE )为低,同时迫使
写使能( WE) HIGH 。如果低字节使能( BLE )低,
然后从存储的位置数据由地址指定
引脚将出现在I / O
0
- I / O
7
。如果高字节使能( BHE )是
低,再从内存中的数据将出现在I / O
8
到I / O
15
。看
本数据手册的后面一个完整的真值表
读写模式的描述。
的输入/输出管脚( I / O的
0
-I / O
15
)被放置在一个
高阻抗设备时,取消选择状态( CE
HIGH )时,输出被禁用( OE为高电平)时, BHE和BLE
禁用( BHE , BLE HIGH) ,或写操作过程中
( CE低, WE LOW ) 。
该CY7C1041CV33可在一个标准的44针
400密耳宽体宽SOJ和44引脚TSOP II封装
与中心的供电和接地(革命)引脚,以及
为48球精细间距球栅阵列( FBGA )封装。
逻辑框图
输入缓冲器
引脚配置
SOJ /
TSOP II
顶视图
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
CE
I / O
0
I / O
1
I / O
2
I / O
3
V
CC
V
SS
I / O
4
I / O
5
I / O
6
I / O
7
WE
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
256K × 16
ARRAY
I / O
0
-I / O
7
I / O
8
-I / O
15
COLUMN
解码器
BHE
WE
CE
OE
BLE
A
17
A
16
A
15
OE
BHE
BLE
I / O
15
I / O
14
I / O
13
I / O
12
V
SS
V
CC
I / O
11
I / O
10
I / O
9
I / O
8
NC
A
14
A
13
A
12
A
11
A
10
行解码器
注意事项:
1.对于SRAM的系统设计指南,请参阅“系统设计指南”赛普拉斯应用笔记,在互联网上提供的www.cypress.com 。
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
A
17
检测放大器
赛普拉斯半导体公司
文件编号: 38-05134牧师* H
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2006年9月1日