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CY7C1041CV33-10ZXC 参数 Datasheet PDF下载

CY7C1041CV33-10ZXC图片预览
型号: CY7C1041CV33-10ZXC
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内容描述: 4兆位( 256K ×16 )静态RAM [4-Mbit (256K x 16) Static RAM]
分类和应用: 内存集成电路静态存储器光电二极管
文件页数/大小: 14 页 / 428 K
品牌: CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
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CY7C1041CV33
4兆位( 256K ×16 )静态RAM
特点
功能说明
该CY7C1041CV33是一种高性能的CMOS静态RAM
16位组织为262,144字。
写入装置,以芯片启用( CE)和写使能
( WE)输入低电平。如果低字节使能( BLE )为低电平,则数据
从IO引脚( IO
0
通过IO
7
) ,被写入的位置
在地址引脚指定的(A
0
至A
17
) 。如果字节高
使能( BHE )为低,然后从IO引脚上的数据( IO
8
通过IO
15
)
被写入的地址管脚的指定位置(一
0
至A
17
).
从设备中读取,需要芯片使能( CE)和输出
启用( OE )低,而强迫写使能( WE) HIGH 。如果
低字节使能( BLE)为低电平时,则数据从存储器
由地址引脚指定位置上出现IO
0
到IO
7
。如果
高字节使能( BHE )为低电平,然后从内存中的数据
出现在IO
8
到IO
15
。欲了解更多信息,请参阅
模式。
的输入和输出引脚(IO
0
通过IO
15
)被放置在一个高
当取消选择器件(CE高电平)阻抗状态时,
输出被禁止( OE HIGH )时, BHE和BLE被禁用
(BHE ,BLE高) ,或者在写操作期间(CE低电平和WE
低) 。
为了获得最佳的实践建议,请参阅赛普拉斯
应用说明
温度范围
商业: 0 ° C至70℃
工业: -40 ° C至85°C
汽车-A : -40 ° C至85°C
汽车-E : -40°C至125°C
引脚和功能与CY7C1041BV33兼容
高速
t
AA
= 10纳秒(商用,工业和汽车-A )
t
AA
= 12纳秒(汽车-E )
低有功功率
324毫瓦(最大)
2.0V数据保留
取消的时候自动断电
TTL兼容的输入和输出
易内存扩展CE和OE特点
可提供无铅和无无铅44引脚4亿SOJ , 44针
TSOP II和48球FBGA封装
逻辑框图
输入缓冲器
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
行解码器
256K ×16
RAM阵列
检测放大器
IO
0
= 10
7
IO
8
= 10
15
列解码器
BHE
WE
CE
OE
BLE
A
10
A
11
A
12
A
14
A
13
A
16
A
17
A
15
A
9
赛普拉斯半导体公司
文件编号: 38-05134牧师* I
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2008年2月14日