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CY7C1041B-15VC 参数 Datasheet PDF下载

CY7C1041B-15VC图片预览
型号: CY7C1041B-15VC
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内容描述: 256K ×16静态RAM [256K x 16 Static RAM]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
文件页数/大小: 11 页 / 253 K
品牌: CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
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CY7C1041B
256K ×16静态RAM
特点
高速
— t
AA
= 12 ns的
低有功功率
- 1540兆瓦(最大)
CMOS的低待机功率(L版)
- 2.75毫瓦(最大)
2.0V数据保留( 400
µW
在2.0V保留)
取消时自动断电
TTL兼容的输入和输出
易内存扩展CE和OE特点
( BLE )为低电平,然后从I / O引脚(数据I / O
0
通过I / O
7
) ,是
写入的地址引脚指定的位置(A
0
至A
17
) 。如果高字节使能( BHE )为低电平,则数据
从I / O引脚( I / O
8
通过I / O
15
)被写入的位置
在地址引脚指定的(A
0
至A
17
).
从设备读通过取芯片完成
使能( CE)和输出使能( OE )为低,同时迫使
写使能( WE) HIGH 。如果低字节使能( BLE )低,
然后从存储的位置数据由地址指定
引脚将出现在I / O
0
到I / O
7
。如果高字节使能( BHE )是
低,再从内存中的数据将出现在I / O
8
到I / O
15
。看
本数据手册的后面一个完整的真值表
读写模式的描述。
的输入/输出管脚( I / O的
0
通过I / O
15
)被放置在一个
高阻抗设备时,取消选择状态( CE
HIGH )时,输出被禁用( OE为高电平)时, BHE和BLE
禁用( BHE , BLE HIGH) ,或写操作( CE过程
低电平和WE为低电平) 。
该CY7C1041B可在一个标准的44针
400密耳宽体宽SOJ和44引脚TSOP II封装
与中心的供电和接地(革命)的引脚。
功能说明
该CY7C1041B是一个高性能的CMOS静态RAM
16位组织为262,144字。
写设备通过采取芯片使能实现
( CE)和写使能( WE)输入低电平。如果低字节使能
逻辑框图
输入缓冲器
引脚配置
SOJ
TSOP II
顶视图
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
CE
I / O
0
I / O
1
I / O
2
I / O
3
V
CC
V
SS
I / O
4
I / O
5
I / O
6
I / O
7
WE
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
256K ×16
ARRAY
1024 x 4096
I / O
0
-I / O
7
I / O
8
-I / O
15
COLUMN
解码器
BHE
WE
CE
OE
BLE
A
17
A
16
A
15
OE
BHE
BLE
I / O
15
I / O
14
I / O
13
I / O
12
V
SS
V
CC
I / O
11
I / O
10
I / O
9
I / O
8
NC
A
14
A
13
A
12
A
11
A
10
行解码器
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
A
17
检测放大器
赛普拉斯半导体公司
文件编号: 38-05142修订版**
3901北一街
圣荷西
,
CA 95134
408-943-2600
修订后的2005年3月24日