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CY7C1041B-15ZI 参数 Datasheet PDF下载

CY7C1041B-15ZI图片预览
型号: CY7C1041B-15ZI
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内容描述: 256K ×16静态RAM [256K x 16 Static RAM]
分类和应用:
文件页数/大小: 10 页 / 344 K
品牌: CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
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1CY7C1041B
CY7C1041B
256K ×16静态RAM
特点
•高速
t
AA
= 12 ns的
•低有功功率
1540毫瓦(最大)
• CMOS低待机功耗(L版)
2.75毫瓦(最大)
• 2.0V数据保留( 400
µW
在2.0V保留)
•自动断电时取消
• TTL兼容的输入和输出
•易于内存扩展CE和OE特点
写入的地址引脚指定的位置(A
0
至A
17
) 。如果高字节使能( BHE )为低电平,则数据
从I / O引脚( I / O
8
通过I / O
15
)被写入的位置
在地址引脚指定的(A
0
至A
17
).
从设备读通过取芯片恩完成
能( CE)和输出使能( OE )低,而强迫写
使能(WE )高。如果低字节使能( BLE )为低电平,则
从由地址引脚指定的存储单元的数据
将出现在I / O
0
到I / O
7
。如果高字节使能( BHE )低,
再从内存中的数据将出现在I / O
8
到I / O
15
。见
在此数据表的背面为一个完整的descrip-真值表
化的读写模式。
的输入/输出管脚( I / O的
0
通过I / O
15
)被放置在一个
高阻抗设备时,取消选择状态( CE
HIGH )时,输出被禁用( OE为高电平)时, BHE和BLE
禁用( BHE , BLE HIGH) ,或写操作( CE过程
低电平和WE为低电平) 。
该CY7C1041B可在一个标准的44针
400密耳宽体宽SOJ和44引脚TSOP II封装
与中心的供电和接地(革命)的引脚。
功能说明
该CY7C1041B是一个高性能的CMOS静态RAM或 -
由16位ganized为262,144字。
写设备通过采取芯片使能实现
( CE)和写使能( WE)输入低电平。如果低字节使能
( BLE )为低电平,然后从I / O引脚(数据I / O
0
通过I / O
7
) ,是
逻辑框图
输入缓冲器
引脚配置
SOJ
TSOP II
顶视图
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
CE
I / O
0
I / O
1
I / O
2
I / O
3
V
CC
V
SS
I / O
4
I / O
5
I / O
6
I / O
7
WE
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
256K ×16
ARRAY
1024 x 4096
I / O
0
- I / O
7
I / O
8
- I / O
15
COLUMN
解码器
BHE
WE
CE
OE
BLE
1041B–1
A
17
A
16
A
15
OE
BHE
BLE
I / O
15
I / O
14
I / O
13
I / O
12
V
SS
V
CC
I / O
11
I / O
10
I / O
9
I / O
8
NC
A
14
A
13
A
12
A
11
A
10
1041B–2
行解码器
选购指南
7C1041B-12
最大访问时间(纳秒)
最大工作电流(mA ) Com'l
Ind'l
最大的CMOS待机电流Com'l
(MA )
Com'l
Ind'l
L
12
200
220
3
-
-
7C1041B-15
15
190
210
3
0.5
6
7C1041B-17
17
180
200
3
0.5
6
7C1041B-20
20
170
190
3
0.5
6
7C1041B-25
25
160
180
3
0.5
6
赛普拉斯半导体公司
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
A
17
检测放大器
3901北一街
圣荷西
CA 95134
408-943-2600
2001年3月23日