CY7C1021DV33-10ZSXI 参数 Datasheet PDF下载

型号：	CY7C1021DV33-10ZSXI
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内容描述：	1兆位（ 64K ×16 ）静态RAM [1-Mbit (64K x 16) Static RAM]
分类和应用：
文件页数/大小：	11 页 / 382 K
品牌：	CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]

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CY7C1021DV33

数据保持特性

在整个工作范围

参数

CCDR

CDR[5]

R[13]

描述

数据保留

数据保持电流

芯片取消到数据保留时间

手术恢复时间

= V

= 2.0V ， CE＆ GT ; V

- 0.3V ，工业

＆ GT ; V

- 0.3V或V

＆ LT ; 0.3V

汽车

条件

分钟。

马克斯。

单位

数据保存波形

数据保持方式

3.0V

CDR

＆ GT ;

3.0V

开关波形

读周期第1号（地址转换控制）

[14, 15]

地址

OHA

数据输出

以前的数据有效

数据有效

读周期2号（ OE控制）

[15, 16]

地址

ACE

美国能源部

BHE ， BLE

LZOE

DBE

LZBE

数据输出

供应

当前

高阻抗

LZCE

50%

HZCE

HZBE

数据有效

50%

HZOE

高

阻抗

笔记

13.全面的设备运行需要的线性V

从V坡道

到V

CC（分钟）

＆ GT ; 50

µs

或稳定在V

CC（分钟）

＆ GT ; 50

µs.

14.设备不断选择。 OE ， CE， BHE和/或BLE = V

15.我们是高读周期。

16.地址之前或暗合了CE变为低电平有效。

文件编号： 38-05460牧师* D

第11 6

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