CY7C1021DV33
1兆位（ 64K ×16 ）静态RAM
特点
•温度范围
- 工业级： -40 ° C至85°C
- 汽车-A ： -40 ° C至85°C
- 汽车-E ： -40°C至125°C
•与CY7C1021CV33引脚和功能兼容
•高速
— t
AA
= 10纳秒
•低有功功率
— I
CC
= 60毫安， 10纳秒
• CMOS低待机功耗
•
•
•
•
•
— I
SB2
= 3毫安
2.0V数据保留
取消时自动断电
CMOS的最佳速度/功耗
高位和低位的独立控制
可提供无铅44引脚400密耳宽的成型SOJ ，
44引脚TSOP II和48球VFBGA封装
功能说明
[1]
该CY7C1021DV33是一个高性能的CMOS静态
RAM （16位）组织为65,536字。此设备具有
自动断电功能，可显著降低
功耗取消的时候。
写设备通过采取芯片使能实现
（ CE）和写使能（ WE）输入低电平。如果低字节使能
（ BLE ）为低电平，然后从I / O引脚（数据I / O
0
通过I / O
7
） ，是
写入的地址引脚指定的位置（A
0
至A
15
） 。如果高字节使能（ BHE ）为低电平，则数据
从I / O引脚（ I / O
8
通过I / O
15
）被写入的位置
在地址引脚指定的（A
0
至A
15
).
从设备读通过取芯片完成
使能（ CE）和输出使能（ OE ）为低，同时迫使
写使能（ WE） HIGH 。如果低字节使能（ BLE ）低，
然后从存储的位置数据由地址指定
引脚将出现在I / O
0
到I / O
7
。如果高字节使能（ BHE ）是
低，再从内存中的数据将出现在I / O
8
到I / O
15
。看
在此数据表的最后一个完整的真值表
读写模式的描述。
的输入/输出管脚（ I / O的
0
通过I / O
15
）被放置在一个
高阻抗设备时，取消选择状态（ CE
HIGH ）时，输出被禁用（ OE为高电平）时， BHE和BLE
禁用（ BHE ， BLE HIGH） ，或写操作过程中
（ CE低， WE LOW ） 。
该CY7C1021DV33提供无铅44引脚400密耳
全模压SOJ ， 44引脚TSOP II和48球VFBGA
包。
逻辑框图
数据驱动因素
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
行解码器
64K ×16
RAM阵列
检测放大器
I / O
0
-I / O
7
I / O
8
-I / O
15
列解码器
BHE
WE
CE
OE
BLE
记
1.对于SRAM的系统设计指南，请参阅“系统设计指南”赛普拉斯应用笔记，在互联网上提供的www.cypress.com
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05460牧师* D
•
198冠军苑
•
圣荷西
,
CA 95134-1709
•
408-943-2600
修订后的2006年11月8日
CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
