CY7C1021B
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
在V电源电压
CC
相对于GND
[2]
.... -0.5V至+ 7.0V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[2]
......................................- 0.5V至V
CC
+0.5V
直流输入电压...................................- 0.5V至V
CC
+0.5V
目前进入输出（ LOW ） ......................................... 20毫安
[2]
静电放电电压............................................ >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ....... >200毫安
工作范围
范围
广告
产业
汽车
环境
温度（T
A
)
[3]
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 125°C
V
CC
5V
±
10%
5V
±
10%
5V
±
10%
电气特性
在整个工作范围
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
I
SB1
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
[2]
输入漏电流
输出漏电流
V
CC
操作
电源电流
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
,
输出禁用
Com'l / Ind'l
AUTO
Com'l / Ind'l
AUTO
140
40
–1
+1
TEST
条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
2.2
–0.5
–1
-12
分钟。
2.4
0.4
6.0
0.8
+1
2.2
–0.5
–1
–4
–1
–4
马克斯。
分钟。
2.4
0.4
6.0
0.8
+1
+4
+1
+4
130
130
40
50
10
0.5
10
15
0.5
-15
马克斯。
单位
V
V
V
V
µA
µA
µA
µA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
V
CC
=最大，我
OUT
= 0 mA时， Com'l / Ind'l
f = f
最大
= 1/t
RC
AUTO
自动CE
最大。 V
CC
， CE＆ GT ; V
IH
Com'l / Ind'l
掉电电流-TTL V
IN
＆ GT ; V
IH
或V
IN
＆ LT ; V
IL
, f =
AUTO
输入
f
最大
自动CE
掉电电流
-CMOS输入
最大。 V
CC
， CE＆ GT ; V
CC
–
0.3V, V
IN
＆ GT ; V
CC
– 0.3V,
或V
IN
＆ LT ; 0.3V ， F = 0
Com'l / Ind'l
AUTO
L型
I
SB2
电容
[4]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= 5.0V
马克斯。
8
8
单位
pF
pF
热阻
[4]
参数
描述
测试条件
44引脚SOJ
64.32
31.03
44-pin
TSOP -II
76.89
14.28
单位
° C / W
° C / W
Θ
JA
Θ
JC
热阻测试条件遵循的标准试验方法和
（结到环境）的程序，用于测量热阻抗，
按照EIA / JESD51热阻。
（结点到外壳）
注意事项：
2. V
IL
（分） = -2.0V和V
IH
（MAX） = V
CC
+ 0.5V为小于20纳秒的脉冲持续时间。
3. T
A
是外壳温度的「即时」 。
4.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
文件编号： 38-05145牧师* C
第10 3
CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
