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CY7C1021BV33-15ZC 参数 Datasheet PDF下载

CY7C1021BV33-15ZC图片预览
型号: CY7C1021BV33-15ZC
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内容描述: 64K ×16静态RAM [64K x 16 Static RAM]
分类和应用:
文件页数/大小: 11 页 / 242 K
品牌: CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
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021BV33
CY7C1021BV33
64K ×16静态RAM
特点
3.3V工作电压( 3.0V - 3.6V )
高速
t
AA
- 15年10月12日NS
CMOS的最佳速度/功耗
低压有源电力(L版)
576毫瓦(最大)
CMOS的低待机功率(L版)
1.80毫瓦(最大)
取消时自动断电
高位和低位的独立控制
采用44引脚TSOP II和400万SOJ
采用48球微型BGA封装
写设备通过采取芯片使能实现
( CE)和写使能( WE)输入低电平。如果低字节使能
( BLE )为低电平,然后从I / O引脚(数据I / O
1
通过I / O
8
) ,是
写入的地址引脚指定的位置(A
0
至A
15
) 。如果高字节使能( BHE )为低电平,则数据
从I / O引脚( I / O
9
通过I / O
16
)被写入的位置
在地址引脚指定的(A
0
至A
15
).
从设备读通过取芯片恩完成
能( CE)和输出使能( OE )低,而强迫写
使能(WE )高。如果低字节使能( BLE )为低电平,则
从由地址引脚指定的存储单元的数据
将出现在I / O
1
到I / O
8
。如果高字节使能( BHE )低,
再从内存中的数据将出现在I / O
9
到I / O
16.
在此数据表的背面为一个完整的descrip-真值表
化的读写模式。
的输入/输出管脚( I / O的
1
通过I / O
16
)被放置在一个
当设备被取消高阻抗状态
( CE HIGH )时,输出被禁用( OE为高电平)时, BHE和
BLE被禁用( BHE , BLE HIGH) ,或在写入操作
化( CE低, WE LOW ) 。
该CY7C1021BV是400密耳宽SOJ可用标准
44引脚TSOP II型和48球迷你BGA封装。
功能说明
[1]
该CY7C1021BV是一个高性能的CMOS静态RAM
16位组织为65,536字。该器件具有一个非盟
tomatic掉电功能,可显著降低功耗
食用时取消。
逻辑框图
数据驱动因素
销刀豆网络gurations
SOJ / TSOP II
顶视图
A
4
A3
A2
A1
A0
CE
I/O1
I/O2
I/O3
I/O4
V
CC
V
SS
I/O5
I/O6
I/O7
I/O8
WE
A15
A14
A13
A12
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
64K ×16
RAM阵列
512 X 2048
I / O
1
-I / O
8
I / O
9
-I / O
16
列解码器
BHE
WE
CE
OE
BLE
A5
A6
A7
OE
BHE
BLE
I/O16
I/O15
I/O14
I/O13
V
SS
V
CC
I/O12
I/O11
I/O10
I/O9
NC
A8
A9
A10
A11
NC
行解码器
选购指南
7C1021BV-8
最大访问时间(纳秒)
最大工作电流(mA )
最大的CMOS待机电流
(MA )
广告
产业
广告
L
8
170
190
5
0.500
7C1021BV-10
10
160
180
5
0.500
7C1021BV-12
12
150
170
5
0.500
7C1021BV-15
15
140
160
5
0.500
阴影区域包含预览。
注意:
1.对于SRAM的系统设计指南,请参阅“系统设计指南”赛普拉斯应用笔记,在互联网上提供的www.cypress.com 。
赛普拉斯半导体公司
文件编号: 38-05148修订版**
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
检测放大器
3901北一街
圣荷西
CA 95134 • 408-943-2600
修订后的2002年9月13日