CY7C109
CY7C1009
开关特性
[3, 5]
在整个工作范围
7C109-10
7C1009-10
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE
1
低到数据有效，CE
2
HIGH到数据
有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
OE高到高Z
[6, 7]
CE
1
低到低Z ，CE
2
高到低Z
[7]
CE
1
高来高Z， CE
2
低到高Z
[6, 7]
CE
1
低到电， CE
2
高
上电
CE
1
高到掉电， CE
2
低
掉电
写周期时间
CE
1
低到写入结束，CE
2
HIGH到写入结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE高到低Z
[7]
WE低到高Z
[6, 7]
10
8
8
0
0
8
6
0
3
5
0
10
3
5
0
12
0
5
3
6
0
15
3
10
5
0
6
3
7
10
10
3
12
6
0
7
12
12
3
15
7
15
15
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
7C109-12
7C1009-12
分钟。
马克斯。
7C109-15
7C1009-15
分钟。
马克斯。
单位
写周期
[8,9]
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
LZWE
t
HZWE
12
10
10
0
0
10
7
0
3
6
15
12
12
0
0
12
8
0
3
7
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
阴影区域包含的初步信息。
注意事项：
5.试验条件假设为3毫微秒或更少的信号的过渡时间，定时1.5V的参考电平，为0的输入脉冲电平到3.0V ，并在指定的输出负载
I
OL
/I
OH
和30 pF负载电容。
6. t
HZOE
, t
HZCE
和叔
HZWE
被指定采用5 pF的负载电容在交流测试负载（b）部分。过渡测
±
500毫伏的稳态电压。
7.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
8.存储器的内部写入时间由CE的重叠限定
1
低，CE
2
高，和WE为低电平。 CE
1
我们必须较低， CE
2
HIGH开始写，
和任何这些信号的过渡可以终止写操作。输入数据建立和保持时间应参考该终止信号的前沿
写。
9.最小写入周期时间为写周期第3号（WE控制， OE为低电平）是t的总和
HZWE
和T
SD
.
文件编号： 38-05032牧师**
第12页4
CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
