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    CY7C1009B-12VC 参数 Datasheet PDF下载

    CY7C1009B-12VC图片预览
    型号： CY7C1009B-12VC
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 128K ×8静态RAM [128K x 8 Static RAM]
    分类和应用： 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
    文件页数/大小： 12 页 / 199 K
    品牌： CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号CY7C1009B-12VC的Datasheet PDF文件第2页浏览型号CY7C1009B-12VC的Datasheet PDF文件第3页浏览型号CY7C1009B-12VC的Datasheet PDF文件第4页浏览型号CY7C1009B-12VC的Datasheet PDF文件第5页浏览型号CY7C1009B-12VC的Datasheet PDF文件第7页浏览型号CY7C1009B-12VC的Datasheet PDF文件第8页浏览型号CY7C1009B-12VC的Datasheet PDF文件第9页浏览型号CY7C1009B-12VC的Datasheet PDF文件第10页  
    CY7C109B
    CY7C1009B
    数据保存波形
    数据保持方式
    V
    CC
    4.5V
    t
    CDR
    CE
    109B-6
    V
    DR
    ＆ GT ; 2V
    4.5V
    t
    R
    开关波形
    读周期1号
    [10, 11]
    t
    RC
    地址
    t
    AA
    t
    OHA
    数据输出
    以前的数据有效
    数据有效
    109B–7
    读周期2号（ OE控制）
    [11, 12]
    地址
    t
    RC
    CE
    1
    CE
    2
    t
    ACE
    OE
    t
    HZOE
    t
    美国能源部
    数据输出
    V
    CC
    供应
    当前
    t
    LZOE
    高阻抗
    t
    LZCE
    t
    PU
    50%
    t
    HZCE
    数据有效
    t
    PD
    50%
    I
    SB
    109B–8
    高
    阻抗
    I
    CC
    注意事项：
    10.设备不断选择。 OE ，CE
    1
    = V
    IL
    ，CE
    2
    = V
    IH
    .
    11.我们是高读周期。
    12.地址有效之前或重合与CE
    1
    过渡LOW和CE
    2
    变为高电平。
    文件编号： 38-05038牧师**
    第12页6

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