CY7C027V/028V
CY7C037V/038V
开关波形
（续）
写周期第1名： R / W控制时序
[25, 26, 27, 28]
t
WC
地址
t
HZOE
[31]
OE
t
AW
CE
[29,30]
t
SA
读/写
t
HZWE
[31]
数据输出
注32
t
PWE
[28]
t
HA
t
LZWE
注32
t
SD
t
HD
DATA IN
写周期2： CE控制时序
[25, 26, 27, 33]
t
WC
地址
t
AW
CE
[29,30]
t
SA
读/写
t
SCE
t
HA
t
SD
DATA IN
t
HD
注意事项：
25. R / W必须在所有的地址转换为高。
在重叠（T时26写
SCE
或T
PWE
）一低CE或SEM和低UB或LB的
27. t
HA
从CE或R / W或（ SEM或R / W）的早期测定变为高电平，在写周期的结束。
28.如果OE是低电平期间， R / W控制的写周期，写脉冲宽度必须满足t较大
PWE
或（T
HZWE
+ t
SD
），以允许在I / O驱动器关闭和数据被放置在
该总线所需要的吨
SD
。如果OE为高电平期间，一个R / W控制的写周期，这要求不适和写脉冲可短至指定吨
PWE
.
29.要存取RAM ， CE = V
IL
，扫描电镜= V
IH
.
30.要访问高位字节， CE = V
IL
， UB = V
IL
，扫描电镜= V
IH
.
访问低字节， CE = V
IL
， LB = V
IL
，扫描电镜= V
IH
.
31.转换测量
±500
毫伏从稳态与5 - pF负载（包括范围和夹具） 。这个参数进行采样，而不是100 ％测试。
32.在此期间， I / O引脚处于输出状态，并且输入信号必须不被应用。
33.如果CE或SEM低电平转变同时发生或在R / W低的跳变后，输出保持在高阻抗状态。
文件编号： 38-06078修订版**
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