CY7C006
CY7C016
开关特性
在整个工作范围
[7]
7C006-15
7C016-15
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE [8 ，9，10 ]
t
HZOE [8 ，9，10 ]
t
LZCE [8 ，9，10 ]
t
HZCE [8 ，9，10 ]
t
PU[10]
t
PD[10]
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD[11]
t
HZWE [9 ， 10]
t
LZWE [9 ， 10]
t
WDD[12]
t
DDD[12]
t
BLA
t
BHA
t
BLC
t
BHC
t
PS
t
WB
t
WH
t
BDD[14]
读周期时间
地址到数据有效
从地址变更输出保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
OE高到高Z
CE低到低Z
CE高到高阻
CE为低电时
CE高到掉电
0
15
3
10
0
25
3
10
3
15
0
35
3
15
10
3
15
3
15
0
55
15
15
3
25
13
3
15
3
25
25
25
3
35
20
3
25
35
35
3
55
25
55
55
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
7C006-25
7C016-25
分钟。
马克斯。
7C006-35
7C016-35
分钟。
马克斯。
7C006-55
7C016-55
分钟。
马克斯。
单位
写周期
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
把脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
R / W低到高Z
R / W高到低Z
写脉冲数据延迟
写数据有效读取数据有效
3
30
25
15
12
12
0
0
12
10
0
10
3
50
30
25
20
20
0
0
20
15
0
15
3
60
35
35
30
30
0
0
25
15
0
20
3
80
60
55
45
45
0
0
40
25
0
25
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
忙碌计时
[13]
BUSY LOW从地址匹配
从地址不匹配繁忙的
BUSY LOW从CE LOW
从CE HIGH HIGH忙
端口设置为优先
后BUSY LOW R / W低
R / W后， BUSY高高
繁忙的到数据有效
5
0
13
注13
15
15
15
15
5
0
17
注13
20
20
20
17
5
0
25
注13
20
20
20
25
5
0
30
注13
30
30
30
30
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
注意事项：
7.测试条件假设为3毫微秒或更少的信号的过渡时间，定时1.5V的参考电平，为0的输入脉冲电平到3.0V ，并在指定的输出负载
I
OI
/I
OH
和30 pF负载电容。
8.在任何给定的温度和电压条件下对于任何给定的设备，叔
HZCE
小于吨
LZCE
和T
HZOE
小于吨
LZOE
.
使用9.测试条件负载3 。
10.此参数是保证，但未经测试。
11.必须由设备所有操作条件下写入RAM得到满足。
12.从写端口读取端口上的部分到部分延迟至RAM单元的信息，请参考阅读时间与端口到端口延迟波形。
13.使用测试条件负载2 。
14. t
BDD
是一个计算出的参数和为t的较大
WDD
– t
PWE
（实际的）或T
DDD
– t
SD
（实际的） 。
6
CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
