初步
开关特性
在整个工作范围
[4]
6264-55
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE1
t
ACE2
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE1
t
LZCE2
t
HZCE
t
PU
t
PD
写周期
[7]
t
WC
t
SCE1
t
SCE2
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
HZWE
t
LZWE
写周期时间
CE
1
低到写结束
CE
2
HIGH到写入结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE低到高Z
[5]
WE高到低Z
5
50
40
30
40
0
0
25
25
0
20
5
70
60
50
55
0
0
40
35
0
30
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE
1
低到数据有效
CE
2
高到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
OE高到高Z
[5]
CE
1
低到低Z
[6]
CE
2
高到低Z
CE
1
高到高阻
[5, 6]
CE
2
低到高Z
CE
1
低到电
CE
1
高到掉电
0
25
5
3
20
0
30
3
20
5
5
30
5
55
40
25
5
30
55
55
5
70
70
35
70
70
描述
分钟。
马克斯。
分钟。
6264-70
CY6264
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
阴影区域包含先进的信息。
注意事项：
4.测试条件假设为5纳秒或更小的信号的过渡时间，定时1.5V的参考电平，为0的输入脉冲电平到3.0V ，并在指定的输出负载
I
OL
/I
OH
和30 pF负载电容。
5. t
HZOE ，
t
HZCE
和叔
HZWE
用C指定
L
= 5 pF的作为交流测试负载（b）部分。过渡测
±500
毫伏从稳态电压。
6.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
对于任何给定的设备。
7.存储器的内部写入时间由CE的重叠限定
1
低，CE
2
高，和WE为低电平。这两个信号必须为低电平启动写，要么
信号可以通过去HIGH结束写入。的数据输入的设置和保持时间应参考该终止写信号的上升沿。
3
CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
