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CY62256L-70PC 参数 Datasheet PDF下载

CY62256L-70PC图片预览
型号: CY62256L-70PC
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内容描述: 256K ( 32K ×8 )静态RAM [256K (32K x 8) Static RAM]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
文件页数/大小: 12 页 / 395 K
品牌: CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
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CY62256
最大额定值
(以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线,没有测试。 )
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用..............................................- 55 ° C至+ 125°C
电源电压对地电位
(引脚28至引脚14) ........................................... -0.5V至+ 7.0V
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态
[3]
....................................- 0.5V至V
CC
+ 0.5V
直流输入电压
[3]
.................................- 0.5V至V
CC
+ 0.5V
输出电流为输出( LOW ) ............................. 20毫安
静电放电电压.......................................... > 2001V
(每MIL -STD -883方法3015 )
闩锁电流.............................................. ...... > 200毫安
工作范围
范围
广告
产业
汽车
环境温度(T
A
)
[4]
0
°
C至+70
°
C
–40
°
C至+ 85
°
C
–40
°
C至+ 125
°
C
V
CC
5V
±
10%
5V
±
10%
5V
±
10%
电气特性
在整个工作范围
CY62256−55
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入漏电流
V
CC
工作电源
当前
GND < V
I
& LT ; V
CC
V
CC
=最大,我
OUT
= 0 mA时,
f = f
最大
= 1/t
RC
L
LL
I
SB1
自动CE
掉电电流 -
TTL输入
自动CE
掉电电流 -
CMOS输入
最大。 V
CC
, CE& GT ; V
IH
,
V
IN
& GT ; V
IH
或V
IN
& LT ; V
IL
, f =
f
最大
L
LL
输出漏电流接地< V
O
& LT ; V
CC
,输出禁用
测试条件
V
CC
=最小值,我
OH
=
−1.0
mA
V
CC
=最小值,我
OL
= 2.1毫安
2.2
–0.5
–0.5
–0.5
28
25
25
0.5
0.4
0.3
1
2
0.1
0.1
0.1
MIN 。 TYP 。
[2]
2.4
0.4
V
CC
+0.5V
0.8
+0.5
+0.5
55
50
50
2
0.6
0.5
5
50
5
10
15
2.2
–0.5
–0.5
–0.5
28
25
25
0.5
0.4
0.3
1
2
0.1
0.1
马克斯。
2.4
0.4
V
CC
+0.5V
0.8
+0.5
+0.5
55
50
50
2
0.6
0.5
5
50
5
10
CY62256−70
MIN 。 TYP 。
[2]
马克斯。
单位
V
V
V
V
µA
µA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
µA
µA
µA
µA
I
SB2
最大。 V
CC
, CE& GT ; V
CC
0.3V
V
IN
& GT ; V
CC
0.3V或V
IN
& LT ; L
0.3V , F = 0
LL
LL - Ind'l
LL -
AUTO
电容
[5]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C,F = 1MHz时,
V
CC
= 5.0V
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
注意事项:
3. V
IL
(分钟) =
2.0V为小于20纳秒的脉冲持续时间。
4. T
A
是“瞬捷”外壳温度。
5.测试开始后任何设计或工艺变化,可能会影响这些参数。
文件编号: 38-05248牧师* C
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