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CY62256VLL-70ZC 参数 Datasheet PDF下载

CY62256VLL-70ZC图片预览
型号: CY62256VLL-70ZC
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内容描述: 256K ( 32K ×8 )静态RAM [256K (32K x 8) Static RAM]
分类和应用:
文件页数/大小: 12 页 / 438 K
品牌: CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
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CY62256V
电容
[5]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C,F = 1兆赫,V
CC
= V
CC (典型值)。
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
热阻
参数
Θ
JA
Θ
JC
描述
热阻
(结到环境)
[6]
热阻
(结点到外壳)
[5]
测试条件
静止的空气中,焊接在一个3 × 4.5英寸,
2层印刷电路板
SOIC
68.45
26.94
TSOPI
87.62
23.73
RTSOPI
87.62
23.73
单位
° C / W
° C / W
交流测试负载和波形
R1
V
CC
产量
50 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
V
CC
10%
GND
& LT ; 5纳秒
相当于:
戴维南等效
R
TH
产量
V
TH
所有的输入脉冲
90%
90%
10%
& LT ; 5纳秒
参数
R1
R2
R
TH
V
TH
3.3V
1100
1500
645
1.750
单位
数据保持特性
(在整个工作范围内)
参数
V
DR
I
CCDR
描述
V
CC
数据保留
数据保持电流
V
CC
= 1.4V ,CE > V
CC
– 0.3V,
V
IN
& GT ; V
CC
- 0.3V或V
IN
& LT ; 0.3V
Com'l
Ind'l
AUTO
t
CDR[6]
t
R[6]
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
0
t
RC
条件
[6]
分钟。
1.4
0.1
0.1
0.1
3
6
50
ns
ns
典型值。
[2]
马克斯。
单位
V
µA
数据保存波形
数据保持方式
V
CC
V
CC(分钟)
t
CDR
V
DR
> 1.4V
V
CC(分钟)
t
R
CE
注意事项:
5.测试开始后任何设计或工艺变化,可能会影响这些参数。
6.无输入可能超过V
CC
+ 0.3V.
文件编号: 38-05057牧师* ˚F
第12页4