CY62256N
开关特性
在整个工作范围
[7]
CY62256N-55
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
HZWE
t
LZWE
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
[8]
OE高来高-Z
[8, 9]
CE低到低Z
[8]
CE高来高-Z
[8, 9]
CE为低电时
CE高到掉电
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE低到高-Z
[8, 9]
我们前高后低-Z
[8]
5
55
45
45
0
0
40
25
0
20
5
0
55
70
60
60
0
0
50
30
0
25
5
20
0
70
5
20
5
25
5
55
25
5
25
55
55
5
70
35
70
70
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
CY62256N-70
分钟。
马克斯。
单位
写周期
[10, 11]
开关波形
读周期1号
[12, 13]
t
RC
地址
t
OHA
数据输出
以前的数据有效
t
AA
数据有效
注意事项：
7.测试条件假设为5纳秒或更小的信号的过渡时间，定时1.5V的参考电平，为0的输入脉冲电平到3.0V ，并在指定的输出负载
I
OL
/I
OH
100 - pF负载电容。
8.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
9. t
HZOE
, t
HZCE
和叔
HZWE
用C指定
L
= 5 pF的作为交流测试负载（ b）所示。过渡测
±500
毫伏从稳态电压。
10.存储器的内部写时间由CE低电平和WE低的重叠限定。这两个信号必须为低电平启动写，要么信号
通过去HIGH结束写入。的数据输入的设置和保持时间应参考该终止写信号的上升沿。
11.最小写入周期时间为写周期＃3（ WE控制， OE为低电平）是t的总和
HZWE
和T
SD
.
12.设备被连续地选择。 OE ，CE = V
IL
.
13.我们是高的读周期。
文件编号： 001-06511修订版**
第13个5
CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
