CY62167DV30的MoBL
®
16兆位（ 1M ×16 ）静态RAM
特点
• TSOP I配置为1M ×16或2M ×8 SRAM
•超高速： 45纳秒
•宽电压范围： 2.2V - 3.6V
•超低有功功率
- 典型工作电流：2毫安F = 1兆赫
- 典型工作电流： 18.5毫安@频率= F
最大
（ 45纳秒
速度）
•超低待机功耗
•易于扩展内存与CE
1
，CE
2
和OE特点
•自动断电时取消
• CMOS的最佳速度/功耗
•提供无铅和无无铅48球VFBGA
和48引脚TSOP封装我
还具有自动关机功能，可显著
功耗降低99％时的地址是不
切换。该设备还可以置于待机模式时
取消选择（ CE
1
高或CE
2
LOW或两者BHE和BLE的
HIGH ） 。的输入/输出管脚（ I / O的
0
通过I / O
15
）置于
在高阻抗状态时：取消选择（ CE
1
高或CE
2
LOW ） ，输出被禁止（ OE高） ，这两个字节高
启用和低字节使能禁用（ BHE ， BLE HIGH ）
或在写操作期间（CE
1
低，CE
2
高和WE
低） 。
写入设备通过取芯片使能实现
（ CE
1
LOW和CE
2
高）和写使能（ WE）输入低电平。
如果低字节使能（ BLE ）为低电平，然后从I / O引脚（数据I / O
0
通过I / O
7
） ，被写入到所指定的位置的
地址引脚（A
0
至A
19
） 。如果高字节使能（ BHE ）是
LOW ，然后从I / O引脚上的数据（ I / O
8
通过I / O
15
）写入到
在地址引脚指定的位置（A
0
至A
19
).
从设备读通过取芯片完成
启用（ CE
1
LOW和CE
2
高）和输出使能（ OE ）
低，而迫使写使能（ WE） HIGH 。如果字节低
使能（ BLE）为低电平，那么从所述存储器位置的数据
指定的地址引脚将出现在I / O
0
到I / O
7
。如果字节
高电平使能（ BHE ）为低电平，然后从内存中的数据会出现
在I / O
8
到I / O
15
。见真值表在这个数据的背后
片读写模式下的完整描述。
功能说明
[1]
该CY62167DV30是一个高性能的CMOS静态RAM
16位组织为100万字。该设备的特点
先进的电路设计，提供超低的工作电流。
这是理想的提供更多的电池寿命™ （的MoBL
®
）在
便携式应用，如蜂窝电话。该装置
逻辑框图
数据驱动因素
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
行解码器
1M × 16 / 2M ×8
RAM阵列
检测放大器
I / O
0
-I / O
7
I / O
8
-I / O
15
列解码器
字节
BHE
WE
OE
BLE
CE
2
CE
1
掉电
电路
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
A
17
A
18
A
19
BHE
BLE
CE
2
CE
1
注意：
1.对于最佳实践的建议，请参考上http://www.cypress.com赛普拉斯应用笔记“系统设计指南” 。
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05328牧师* G
•
198冠军苑
•
圣荷西
,
CA 95134-1709
•
408-943-2600
修订后的2006年7月27日
CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
