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CY62128ELL-45SXI 参数 Datasheet PDF下载

CY62128ELL-45SXI图片预览
型号: CY62128ELL-45SXI
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内容描述: 1兆位( 128K ×8)静态RAM [1-Mbit (128K x 8) Static RAM]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器光电二极管PC
文件页数/大小: 12 页 / 845 K
品牌: CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
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的MoBL
®
CY62128E
文档历史记录页
文档标题: CY62128E的MoBL
®
1兆位( 128K ×8)静态RAM
文件编号: 38-05485
调整
**
*A
ECN
203120
299472
提交原稿。的
日期
变化
见ECN
见ECN
AJU
SYT
新的数据表
转换从超前信息初步
改变的吨
OHA
从6 ns至10 ns的为35 ns到45 ns的分别
改变的吨
美国能源部
从15 ns至18 ns的35纳秒的速度斌
改变的吨
HZOE
, t
HZWE
从12和15纳秒至15和18纳秒的35和45纳秒
速度分别垃圾桶,
改变的吨
HZCE
从12和15 ns至18和22纳秒的35和45毫微秒的速度
分别箱,
改变的吨
SCE
从25和40 ns至30 ns的35对35和45纳秒的速度
分别箱,
改变的吨
SD
从15到20纳秒至18和22纳秒的35和45毫微秒的速度回收箱,
分别
新增无铅封装信息
添加脚注# 9
变更后经营范围SOIC封装,从商业到工业
修改后的信号转换时间从5 ns至3 ns的脚注# 11
对我改变最大
SB1
, I
SB2
CCDR
1.0
μA
1.5
μA
从初步转化为最终
包括汽车系列和55纳秒的速度斌
除去35纳秒的速度斌
去掉“L”版本CY62128E的
从产品发行取出反向TSOP封装我
改变了我
CC (典型值)
从8毫安至11 mA和我
CC (最大)
12 mA到对于f 16毫安
= f
最大
改变了我
CC (最大)
1.5 mA至2.0毫安对于f = 1 MHz的
除去我
SB1
从电气特性表中的DC规格
改变了我
SB2 (最大)
1.5
μA
4
μA
改变了我
SB2 (典型值)
0.5
μA
1
μA
改变了我
CCDR (最大)
1.5
μA
4
μA
改变了AC测试负载电容值从100 pF到30 pF的
改变的吨
LZOE
从3到5纳秒
改变的吨
LZCE
从6到10纳秒
改变的吨
HZCE
从22到18 ns的
改变的吨
PWE
从30到35纳秒
改变的吨
SD
22日至25纳秒
改变的吨
LZWE
从6到10纳秒
更新了订购信息表
更新了程序框图上页# 1
添加脚注4第2页
新增汽车-A的信息
改装汽车-E规格到最终
添加脚注# 9与I
SB2
CCDR
更新订购信息表
在订货信息表中更正错误错字
变化的说明
*B
461631
见ECN
NXR
*C
*D
*E
464721
563144
1024520
见ECN
见ECN
见ECN
NXR
AJU
VKN
*F
2548575
08/05/08
NXR
文件编号: 38-05485牧师* ˚F
第11页12