CY62128V家庭
数据保持电流图
（仅适用于“L ”版）
当前
数据保留
- 电源电压
80
电源电流
(µA)
70
60
50
40
30
20
10
0
2.6
1.6
3.6
T
A
=25°C
电源电压（ V）
开关特性
在整个工作范围
[5]
62128V-55
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
写周期
[8, 9]
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
HZWE
t
LZWE
5.
6.
7.
8.
9.
62128V-70
分钟。
70
马克斯。
62128V25-100
分钟。
100
马克斯。
62128V18-200
分钟。
200
马克斯。
单位
ns
200
10
200
125
10
75
10
75
0
200
200
190
190
0
0
125
100
0
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
100
15
ns
ns
描述
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
[6]
OE高到高Z
[6, 7]
CE低到低Z
[6]
分钟。
55
马克斯。
55
5
55
20
10
20
10
20
0
55
55
45
45
0
0
45
25
0
20
5
5
70
60
60
0
0
55
30
0
0
10
10
10
70
10
70
35
10
25
10
25
0
70
100
100
100
0
0
90
60
0
25
10
100
100
75
50
50
100
CE高到高阻
[6, 7]
CE为低电时
CE高到掉电
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE低到高Z
[6, 7]
WE高到低Z
[6]
50
试验条件假设为5纳秒或1.5V以下的定时基准水平， 0的输入脉冲电平到3.0V的信号过渡时间，并在指定的输出负载
I
OL
/I
OH
100 - pF负载电容。
在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
t
HZOE
, t
HZCE
和叔
HZWE
用C指定
L
= 5 pF的作为交流测试负载（b）部分。转变是从稳态电压测量± 200 mV的。
存储器的内部写入时间由CE的重叠限定
1
低，CE
2
高，和WE为低电平。 CE
1
和WE信号必须为低和CE
2
高启动
写，要么信号可以通过去HIGH结束写入。的数据输入的设置和保持时间应参考该终止写信号的上升沿。
最小写周期时间为写周期＃3（ WE控制， OE为低电平）是t的总和
HZWE
和T
SD
.
5
CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
