CY2308
典型的占空比
[10]
我
DD
趋势
[11]
对于CY2308-1,2,3,4
占空比VS VDD
（ 30 pF的负载过频 - 3.3V ，25°C ）
60
58
56
占空比（ ％ ）
占空比VS VDD
（ 15 pF的负载过频 - 3.3V ，25°C ）
60
58
56
占空比（ ％ ）
54
52
50
48
46
44
42
40
33兆赫
66兆赫
100毫亨
z
133 MH
z
54
52
50
48
46
44
42
40
3
3.1
3.2
3.3
Vdd的（V）的
3.4
3.5
3.6
33兆赫
66兆赫
100兆赫
3
3.1
3.2
3.3
Vdd的（V）的
3.4
3.5
3.6
占空比与频率
（ 30 pF的负载在整个温度范围 - 3.3V ）
60
58
56
占空比（ ％ ）
占空比与频率
（ 15 pF的负载在整个温度范围 - 3.3V ）
60
58
56
0C
25C
70C
85C
-40C
52
50
48
46
44
42
40
20
40
60
80
频率（MHz）
100
120
140
占空比（ ％ ）
54
54
52
50
48
46
44
42
40
20
40
60
80
频率（MHz）
100
120
140
-40C
0C
25C
70C
85C
IDD VS加载输出数
（ 30 pF的负载过频 - 3.3V ，25°C ）
140
120
100
80
60
40
20
0
0
2
4
6
8
＃华氏度罗的广告编出P UT s
33赫兹
66男赫兹
1 00分赫兹
IDD VS加载输出数
（ 15 pF的负载过频 - 3.3V ，25°C ）
140
120
100
80
60
40
20
0
0
2
4
＃华氏度罗脱ð欧吨P UT s
6
8
33赫兹
66男赫兹
1 00分赫兹
注意事项：
10.占空比是从1.4V时测得的典型芯片。
11. I
DD
数据是从我计算
DD
= I
CORE
+ nCVf ，在那里我
CORE
是空载电流。
（N = ＃输出;每路输出（ F） C =电容负载， V =电源电压（ V） ; F =频率（Hz ） ）
文件编号： 38-07146牧师* C
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CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
