1CY 27H0 10
传真号： 3023
CY27H010
128K ×8高速CMOS EPROM
特点
• CMOS的最佳速度/功耗
•高速
— t
AA
= 25 ns（最大值） 。 （商用）
— t
AA
= 35 ns（最大值） 。 （军事）
•低功耗
- 275毫瓦最大。
•
•
•
•
•
- 低于85毫瓦时取消
字节宽度的存储器组织
在thewindowed包装100 ％可重复编程
EPROM技术
能承受>2001V静电放电
可在
- 32引脚PLCC
- 32引脚TSOP -I
- 32引脚， 600密耳胶或密封DIP
- 32引脚密封LCC
尝试标准的32引脚， 600密耳DIP ， LCC ， PLCC ， TSOP和-I
包。这些器件提供高密度存储的COM
软硬件就可以为40 - MHz的性能。该CY27H010可用
在窗口和不透明的包。窗口封装AL-
该设备从低到用UV光被擦除100％重
可编程性。
该CY27H010配备了省电芯片使能
（ CE）的输入和输出使能（ OE ） 。当CE为无效，
该设备掉电，以低功率待机模式。该
OE引脚三态输出，而不把设备插入
待机模式。而CE提供了更低的功耗， OE提供
更迅速过渡到和从三态输出。
存储器单元利用成熟的EPROM的浮栅技
学和字节宽的智能编程算法。该
只有12.75 V EPROM单元需要的超高压和
低编程电流允许团伙编程。该
装置允许对每个存储单元进行测试的100％ ，
因为每个位置被写入，擦除和反复
封装前行使。每个设备还测试了
对于AC性能，保证产品满足DC
和客户程序后， AC的技术指标。
该CY27H010被断言两个CE和OE阅读
输入。存储单元的由所选择的内容
在输入A地址
16
–A
0
将出现在输出Ø
7
–O
0
.
功能说明
该CY27H010是一个高性能， 1兆位的CMOS
EPROM组织128字节。它是在行业可用
逻辑框图
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
掉电
O
7
O
5
O
6
地址
解码器
多路复用器
O
4
O
3
O
1
可编程
ARRAY
O
2
O
0
销刀豆网络gurations
DIP
顶视图
V
PP
A
16
A
15
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
O
0
O
1
O
2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
CC
PGM
NC
A
14
A
13
A
8
A
9
A
11
OE
A
10
CE
O
7
O
6
O
5
O
4
O
3
H010–2
LCC / PLCC
顶视图
CE
OE
OUTPUT ENABLE
解码器
H010–1
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
O
0
4 3 2 1 32 31 30
29
5
28
6
27
7
26
8
25
9
24
10
23
11
22
12
21
13
14151617 181920
A
14
A
13
A
8
A
9
A
11
OE
A
10
CE
O
7
H010–3
赛普拉斯半导体公司
•
3901北一街
•
圣荷西
• CA 95134 •
408-943-2600
1994年8月 - 修订1997年3月
CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
