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7C1351-66 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 7C1351-66
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内容描述: 128Kx36流通型SRAM与NOBL TM架构 [128Kx36 Flow-Through SRAM with NoBL TM Architecture]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 13 页 / 185 K
品牌: CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
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CY7C1351
Capacitance
[10]
Parameter
C
IN
C
CLK
C
I/O
Description
Input Capacitance
Clock Input Capacitance
Input/Output Capacitance
Test Conditions
T
A
= 25°C, f = 1 MHz,
V
DD
= 3.3V
V
DDQ
= 3.3V
Max.
4
4
4
Unit
pF
pF
pF
AC Test Loads and Waveforms
OUTPUT
Z
0
=50Ω
R
L
=50Ω
V
L
= 1.5V
3.3V
OUTPUT
3.0V
5 pF
R=351Ω GND
INCLUDING
JIG AND
SCOPE
R=317Ω
ALL INPUT PULSES
(a)
(b)
1351-2
1351-3
Thermal Resistance
Description
Thermal Resistance
(Junction to Ambient)
Thermal Resistance
(Junction to Case)
Note:
10. Tested initially and after any design or process change that may affect these parameters.
Test Conditions
Still Air, soldered on a 4.25 x 1.125 inch,
4-layer printed circuit board
Symbol
Θ
JA
Θ
JC
TQFP Typ.
28
4
Units
°C/W
°C/W
Notes
10
10
8