的EnerChip CC CBC3150
绝对最大额定值
参数
V
DD
相对于GND
ENABLE和V
模式
输入电压
V
BAT
(1)
V
CHG
(1)
V
OUT
复位输出电压
CP ，飞电容电压
CN
(1)
条件
25°C
25°C
25°C
25°C
25°C
25°C
25°C
25°C
民
GND - 0.3
GND - 0.3
3.0
3.0
GND-0.3
GND - 0.3
GND - 0.3
GND - 0.3
典型
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
6.0
V
DD
+0.3
4.3
4.3
6.0
V
OUT
+0.3
6.0
V
DD
+0.3
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
无需外部连接到这些引脚被允许的，除了平行EnerChips 。
工作特性
参数
输出电压V
OUT
输出电压V
OUT
（备份模式）
的EnerChip脉冲放电电流
自放电率（5年平均）
工作温度
储存温度
细胞电阻（ 25℃）
充电周期
（ 80 ％额定钙的
pacity ; 4.1 V充电
电压）
25°C
40°C
条件
V
DD
＆ GT ; V
TH
V
DD
＆ LT ; V
TH
民
-
2.2
-
-
-20
-40
-
-
5000
1000
2500
500
-
-
50
典型
V
DD
3.3
2.5
1.5
(1)
25
-
0.75
4.2
-
-
-
-
20
60
-
最大
-
3.6
-
-
+70
+125
(2)
2
7
-
-
-
-
35
95
-
单位
V
V
-
％每年
％每年
°C
°C
kΩ
周期
周期
周期
周期
分钟
ΦAH
-
不可恢复
可采
变量 - 见附录。注意1025
-
-
充电周期2
充电周期1000
10％的放电深度的
50 ％放电深度的
10％的放电深度的
50％的放电深度的
充电周期2
充电周期1000
100μA放电; 25℃
充电时间（ 80 ％额定钙的
pacity ; 4.1V充电电压; 25℃）下
容量
(1)
(2)
正月采自放电4 ％的平均水平。
储存温度是不带电的EnerChip CC设备。
注：在本文档中包含的所有规格如有变更，恕不另行通知。
的EnerChip放电特性
DS - 72-03版本C
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