最大额定值AT＆T
A
= 25°C
注1&3
直流正向电流
Peak Forward Current (1/10 duty cycle @ 1 kHz)
LED结温
反向电压
工作温度范围
存储温度范围
静电放电阈值（ HBM ）
Note 2
Electrostatic Discharge Classification (MIL-STD-883E)
Note 2
在T典型电气/光学特性
A
= 25°C ，如果能力= 20 mA
产品型号
正向电压（V
f
, V)
分钟。
C450TR2227-Sxx00
C460TR2227-Sxx00
C527TR2227-Sxx00
机械的特定网络阳离子
描述
P-N结区（ μm）的
芯片面积（ μm）的
片厚度（μm）
金键合焊盘直径阳极（微米）
金债券垫厚度（微米）
金键合焊盘区阴极（ μm）的
底面积（ μm）的
2.7
2.7
2.9
典型值。
3.3
3.3
3.4
马克斯。
3.7
3.7
3.9
注3
CxxxTR2227-Sxx00
30 mA
70 mA
125°C
5 V
-40°C to +100°C
-40°C to +100°C
1000 V
Class 2
反向电流
[我（VR = 5V ） ， μA ]
马克斯。
2
2
2
全宽半最大
(λ
D
，NM ）
典型值。
20
21
34
CxxxTR2227-Sxx00
维
190 x 230
220 x 270
50
80
1.0
80 x 80
190 x 240
公差
±35
±35
±15
-5, +15
±0.5
-5, +15
±35
注意事项：
1.最大额定值是包依赖。上述评级均使用T - 1 3/4封装（与多Hysol OS4000确定
环氧树脂）为特征。评分其他包可能会有所不同。的正向电流（直流和峰值）不受模具的限制
but by the effect of the LED junction temperature on the package. The junction temperature limit of 125°C is a limit of the T-1
3/4 package; junction temperature should be characterized in a specific package to determine limitations. Assembly processing
temperature must not exceed 325°C (< 5 seconds).
2.产品耐根据HBM的静电放电（ESD ）是通过使用快速雪崩模拟的ESD测量
能量检测（ RAET ） 。该RAET程序设计为近似显示的最大ESD额定值。该RAET程序
performed on each die. The ESD classification of Class 2 is based on sample testing according to MIL-STD-883E.
3.所有的产品符合上市最低和最高规格的电气和光学特性组装时
and operated at 20 mA within the maximum ratings shown above. Efficiency decreases at higher currents. Typical values given
是预期通过在大量生产平均的值的范围内，并且只用于提供信息。所有
measurements were made using lamps in T-1 3/4 packages (with Hysol OS4000 epoxy). Optical characteristics measured in an
使用照度E.积分球
4.规格如有变更，恕不另行通知。
Copyright © 2010 Cree, Inc. All rights reserved. The information in this document is subject to change without notice. Cree and the
Cree logo are registered trademarks, and TR and TR2227 are trademarks of Cree, Inc.
Cree公司
4600 Silicon Drive
Durham, NC 27703
USA电话： +1.919.313.5300
www.cree.com
2
CPR3EF版本A
CREE [ CREE, INC ]
