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C3D10060G_14 参数 Datasheet PDF下载

C3D10060G_14图片预览
型号: C3D10060G_14
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内容描述: [Silicon Carbide Schottky Diode]
分类和应用:
文件页数/大小: 6 页 / 661 K
品牌: CREE [ CREE, INC ]
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Electrical Characteristics  
Symbol Parameter  
Typ.  
Max.  
Unit  
Test Conditions  
IFꢀ=ꢀ10ꢀAꢀꢀTJ=25°C  
Note  
1.5  
2.0  
1.8  
2.4  
VF  
ForwardꢀVoltage  
V
IFꢀ=ꢀ10ꢀAꢀꢀTJ=175°C  
10  
20  
50  
200  
VR = 600 V TJ=25°C  
VR = 600 V TJ=175°C  
IR  
ReverseꢀCurrent  
μA  
nC  
VRꢀ=ꢀ600ꢀV,ꢀIFꢀ=ꢀ10ꢀA  
di/dtꢀ=ꢀ500ꢀA/μs  
TJꢀ=ꢀ25°C  
QC  
TotalꢀCapacitiveꢀCharge  
25  
480  
50  
42  
VRꢀ=ꢀ0ꢀV,ꢀTJꢀ=ꢀ25°C,ꢀfꢀ=ꢀ1ꢀMHz  
VRꢀ=ꢀ200ꢀV,ꢀTJꢀ=ꢀ25˚C,ꢀfꢀ=ꢀ1ꢀMHz  
VRꢀ=ꢀ400ꢀV,ꢀTJꢀ=ꢀ25˚C,ꢀfꢀ=ꢀ1ꢀMHz  
C
TotalꢀCapacitance  
pF  
Note:  
1.Thisꢀisꢀaꢀmajorityꢀcarrierꢀdiode,ꢀsoꢀthereꢀisꢀnoꢀreverseꢀrecoveryꢀcharge.  
Thermal Characteristics  
Symbol Parameter  
Typ.  
Unit  
RθJC  
ThermalꢀResistanceꢀfromꢀJunctionꢀtoꢀCase  
1.2  
°C/W  
Typical Performance  
20  
100  
90  
18  
TJ =ꢀ25°C  
TJ =ꢀ75°C  
16  
TJ =ꢀ125°C  
TJ =ꢀ175°C  
14  
80  
70  
12  
10  
8
60  
50  
40  
TJ =ꢀ25°C  
TJ =ꢀ75°C  
TJ =ꢀ125°C  
TJ =ꢀ175°C  
6
4
2
30  
20  
10  
0
0
0ꢀꢀꢀꢀꢀ100ꢀꢀꢀ200ꢀꢀ300ꢀꢀꢀ400ꢀꢀ500ꢀꢀꢀ600ꢀꢀ700ꢀꢀꢀ800ꢀꢀꢀ900  
0.0ꢀꢀꢀꢀꢀ0.5ꢀꢀꢀꢀ1.0ꢀꢀꢀꢀꢀ1.5ꢀꢀꢀꢀ2.0ꢀꢀꢀꢀꢀ2.5ꢀꢀꢀꢀ3.0ꢀꢀꢀꢀꢀ3.5ꢀꢀꢀꢀ4.0  
VR Reverse Voltage (V)  
VF Forward Voltage (V)  
Figureꢀ1.ꢀForwardꢀCharacteristics  
Figureꢀ2.ꢀReverseꢀCharacteristics  
2
C3D10060G Rev. F