C2M1000170D 参数 Datasheet PDF下载

型号：	C2M1000170D
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内容描述：	碳化硅功率MOSFET Z- FETTM MOSFET [Silicon Carbide Power MOSFET Z-FETTM MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	7 页 / 620 K
品牌：	CREE [ CREE, INC ]

Typical Performance

C4D10120D

10A, 1200V

SiC Schottky

L = 856 µH

V = 800 V

C = 42.3 µF

D.U.T.

C2M0080120D

Figure 24. Clamped Inductive Switching

Waveform Test Circuit

Figure 25. Switching Test Waveforms for Transition Times

ESD Ratings

ESD Test

ESD-HBM

ESD-MM

ESD-CDM

Total Devices Sampled

All Devices Passed 1000V

All Devices Passed 400V

All Devices Passed 1000V

Resulting Classification

2 (>2000V)

C (>400V)

IV (>1000V)

C2M1000170D Rev. A

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