C2M0080120D_15 参数 Datasheet PDF下载

型号：	C2M0080120D_15
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内容描述：	[Silicon Carbide Power MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	10 页 / 1205 K
品牌：	CREE [ CREE, INC ]

Test Circuit Schematic

D₁

C4D10120A

10A, 1200V

SiC Schottky

L=142 uH

V_DC

C_DC=42.3 uF

Q₂

R_G

D.U.T

C2M0080120D

Figure 30. Clamped Inductive Switching

Waveform Test Circuit

Q₁

R_G

L=142 uH

D.U.T

C2M0080120D

V_GS= - 5V

V_DC

C_DC=42.3 uF

Q₂

R_G

C2M0080120D

Figure 31. Body Diode Recovery Test Circuit

ESD Ratings

ESD Test

ESD-HBM

ESD-MM

Total Devices Sampled

All Devices Passed 1000V

All Devices Passed 400V

All Devices Passed 1000V

Resulting Classiﬁcation

2ꢀ(>2000V)

Cꢀ(>400V)

ESD-CDM

IVꢀ(>1000V)

C2M0080120D Rev. C, 10-2015

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