C2M0045170D 参数 Datasheet PDF下载

型号：	C2M0045170D
PDF下载：	下载PDF文件查看货源
内容描述：	[Silicon Carbide Power MOSFET C2MTM MOSFET Technology]
分类和应用：
文件页数/大小：	10 页 / 1197 K
品牌：	CREE [ CREE, INC ]

Test Circuit Schematic

Q₁

R_G

C2M0045170D

V_GS= - 5V

V_DC

Q₂

R_G

C2M0045170D

D.U.T

Figure 29a. Clamped Inductive Switching Test Circuit using

MOSFET intristic body diode

C3D25170H

25A, 1700V

SiC Schottky

D₁

V_DC

Q₂

R_G

D.U.T

C2M0045170D

Figure 29b. Clamped Inductive Switching Test Circuit using

SiC Schottky diode

ESD Ratings

ESD Test

Total Devices Sampled

Resulting Classiﬁcation

ESD-HBM

ESD-CDM

All Devices Passed 4000V

All Devices Passed 1000V

3Aꢀ(>4000V)

IVꢀ(>1000V)

C2M0045170D Rev. -, 06-2016

专业IC领域供求交易平台:提供全面的IC Datasheet资料和资讯，Datasheet 1000万数据，IC品牌1000多家。

网站导航 Datasheet资料库电子术语电子百科

服务中心 常见问题委托交易会员服务

关于我们 公司简介联系我们免责申明

产品索引：A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9