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CN1185 参数 Datasheet PDF下载

CN1185图片预览
型号: CN1185
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内容描述: [低功耗四通道电压监测集成电路]
分类和应用:
文件页数/大小: 8 页 / 384 K
品牌: CONSONANCE [ 上海如韵 ]
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管脚描述:
序号
1
名称
IN1
功�½描述
第一路比较器的负输入端。可以直接接到被监测的电压或者通过外部电阻
分压�½�络设�½�被监测电压的翻�½�阈值。
第一路比较器的输出端。
漏极开路输出端。
�½�IN1输入电压上升并且大于(比
较器翻�½�阈值+比较器迟滞)(Hysteresis)时,芯片内部从OUT1接到GND的
NMOSFET导通,OUT1输出�½�电平;�½�IN1输入电压下降并且小于比较器
的翻�½�阈值时,芯片内部从OUT1接到GND的NMOSFET关断,OUT1输出
高阻态。
第二路比较器的负输入端。可以直接接到被监测的电压或者通过外部电阻
分压�½�络设�½�被监测电压的翻�½�阈值。
第二路比较器的输出端。
漏极开路输出端。
�½�IN2输入电压上升并且大于(比
较器的翻�½�阈值+比较器迟滞)(Hysteresis)时,芯片内部从OUT2接到GND
的NMOSFET导通,OUT2输出�½�电平;�½�IN2输入电压下降并且小于比较
器的翻�½�阈值时,芯片内部从OUT2接到GND的NMOSFET关断,OUT2输
出高阻态。
第三路比较器的负输入端。可以直接接到被监测的电压或者通过外部电阻
分压�½�络设�½�被监测电压的翻�½�阈值。
第三路比较器的输出端。
漏极开路输出端。
�½�IN3输入电压上升并且大于(比
较器的翻�½�阈值+比较器迟滞)(Hysteresis)时,芯片内部从OUT3接到GND
的NMOSFET导通,OUT3输出�½�电平;�½�IN3输入电压下降并且小于比较
器的翻�½�阈值时,芯片内部从OUT3接到GND的NMOSFET关断,OUT3输
出高阻态。
第四路比较器的负输入端。可以直接接到被监测的电压或者通过外部电阻
分压�½�络设�½�被监测电压的翻�½�阈值。
第四路比较器的输出端。
漏极开路输出端。
�½�IN4输入电压上升并且大于(比
较器的翻�½�阈值+比较器迟滞)(Hysteresis)时,芯片内部从OUT4接到GND
的NMOSFET导通,OUT4输出�½�电平;�½�IN4输入电压下降并且小于比较
器的翻�½�阈值时,芯片内部从OUT4接到GND的NMOSFET关断,OUT4输
出高阻态。
比较器翻�½�阈值控制输入端。�½�此管脚为高电平时,比较器翻�½�阈值典型
值为1.22V(比较器输入电压下降);�½�此管脚为�½�电平时,比较器翻�½�阈
值典型值为1.256V(比较器输入电压下降)。
没有连接。
比较器迟滞
(Hysteresis)
设�½�输入端。逻辑输入端,HYS1和HYS2一起设�½�
比较器迟滞(Hysteresis)。
电源负输入端。
输出闪烁控制输入端。逻辑输入端,�½�比较器的输入端电压大于(翻�½�阈值
+比较器迟滞)时,即比较器输出端输出�½�电平时,如果比较器翻�½�阈值控
制输入端CHRG为�½�电平,并且BLINK管脚为高电平,则比较器输出端每
隔约500毫秒�½�换一次状态,高电平和�½�电平的持续时间相同。
没有连接。
电源正输入端。
REV 1.0
4
2
OUT1
3
IN2
4
OUT2
5
IN3
6
OUT3
7
IN4
8
OUT4
9
10
11
12
13
CHRG
NC
HYS1
HYS2
GND
14
BLINK
15
16
NC
VDD