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    TIP121 参数 Datasheet PDF下载

    TIP121图片预览
    型号： TIP121
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 硅达林顿功率晶体管 [SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 3 页 / 103 K
    品牌： COMSET [ COMSET SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号TIP121的Datasheet PDF文件第1页浏览型号TIP121的Datasheet PDF文件第3页  
    半导体
    NPN TIP120-121-122
    热特性
    符号
    R
    THJ情况
    R
    THJ - AMB
    结点的情况下
    从结点到环境
    评级
    价值
    1.92
    62.5
    单位
    ° C / W
    ° C / W
    电气特性
    TC = 25° C除非另有说明
    符号
    I
    CBO
    评级
    收藏家Cuto FF电流
    测试条件（S ）
    I
    E
    = 0,V
    CB
    = V
    CBO
    最大
    I
    E
    = 0
    V
    CE
    = 1/2 V
    首席执行官
    最大
    V
    EB
    = 5 V，I
    C
    = 0
    TIP120
    TIP121
    TIP122
    TIP120
    TIP121
    TIP122
    TIP120
    TIP121
    TIP122
    TIP120
    TIP121
    TIP122
    TIP120
    TIP121
    TIP122
    TIP120
    TIP121
    TIP122
    TIP120
    TIP121
    TIP122
    TIP120
    TIP121
    TIP122
    TIP120
    TIP121
    TIP122
    TIP120
    TIP121
    TIP122
    民
    -
    典型值
    -
    最大
    0.2
    单位
    mA
    I
    首席执行官
    收藏家Cuto FF电流
    -
    -
    0.5
    mA
    I
    EBO
    发射Cuto FF电流
    集电极 - 发射极
    击穿电压（ * ）
    -
    60
    80
    100
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    2
    -
    -
    -
    2
    mA
    V
    首席执行官
    I
    C
    = 30 mA时，我
    B
    = 0
    V
    I
    C
    = 3 A，I
    B
    = 12毫安
    V
    CE （ SAT ）
    集电极 - 发射极
    饱和电压（ * ）
    I
    C
    = 5 A，I
    B
    = 20毫安
    基射极电压
    (*)
    V
    -
    -
    4
    V
    BE（上）
    I
    C
    = 3 A，V
    CE
    = 3 V
    -
    -
    2.5
    V
    V
    CE
    = 3.0 V，I
    C
    = 0.5 A
    h
    FE
    直流电流增益（ * ）
    V
    CE
    = 3.0 V，I
    C
    = 3 A
    I
    E
    = 0, V
    CB
    = 10 V,
    f
    TEST
    = 1MHz的
    1000
    -
    -
    -
    1000
    -
    -
    C
    OB
    输出电容
    -
    -
    200
    pF
    （ * ）脉冲宽度
    ≈
    300
    µs,
    占空比
    ∠
    2.0%
    05/10/2012
    半导体COMSET
    2|3

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