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    TIP116 参数 Datasheet PDF下载

    TIP116图片预览
    型号： TIP116
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 硅达林顿功率晶体管 [SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS]
    分类和应用： 晶体晶体管局域网
    文件页数/大小： 3 页 / 102 K
    品牌： COMSET [ COMSET SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号TIP116的Datasheet PDF文件第1页浏览型号TIP116的Datasheet PDF文件第3页  
    半导体
    PNP TIP115-116-117
    热特性
    符号
    R
    THJ情况
    结点的情况下
    评级
    TIP110
    TIP111
    TIP112
    TIP110
    TIP111
    TIP112
    价值
    2.5
    单位
    ° C / W
    R
    THJ - AMB
    从结点到环境
    62.5
    ° C / W
    电气特性
    TC = 25° C除非另有说明
    符号
    I
    CBO
    评级
    收藏家Cuto FF电流
    测试条件（S ）
    I
    E
    = 0,V
    CB
    = -V
    CBO
    最大
    I
    E
    = 0,
    V
    CE
    = -1/2 V
    首席执行官
    最大
    V
    EB
    = -5 V，I
    C
    = 0
    TIP110
    TIP111
    TIP112
    TIP110
    TIP111
    TIP112
    TIP110
    TIP111
    TIP112
    TIP110
    TIP111
    TIP112
    TIP110
    TIP111
    TIP112
    TIP110
    TIP111
    TIP112
    TIP110
    TIP111
    TIP112
    TIP110
    TIP111
    TIP112
    TIP110
    TIP111
    TIP112
    民
    -
    典型值
    -
    最大
    -1
    单位
    mA
    I
    首席执行官
    收藏家Cuto FF电流
    -
    -
    -2
    mA
    I
    EBO
    发射Cuto FF电流
    集电极 - 发射极
    击穿电压（ * ）
    集电极 - 发射极
    饱和电压（ * ）
    基射极电压
    (*)
    -
    -60
    -80
    -100
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -2
    -
    -
    -
    -2.5
    mA
    V
    首席执行官
    I
    C
    = -30毫安，我
    B
    = 0
    V
    V
    CE （ SAT ）
    I
    C
    = -2 A，I
    B
    = -8毫安
    V
    V
    BE（上）
    I
    C
    = -2 A ，V
    CE
    = -4 V
    -
    -
    -2.8
    V
    V
    CE
    = -4 V，I
    C
    = -1 A
    h
    FE
    直流电流增益（ * ）
    V
    CE
    = -4 V，I
    C
    = -2 A
    I
    E
    = 0, V
    CB
    = -10 V
    F =为0.1MHz
    1000
    -
    -
    -
    500
    -
    -
    C
    OB
    输出电容
    -
    -
    200
    pF
    （ * ）脉冲宽度
    ≈
    300
    µs,
    占空比
    ∠
    2.0%
    05/10/2012
    半导体COMSET
    2|3

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