半导体
TIC246B ， TIC246C ， TIC246D ， TIC246E ， TIC246M ， TIC246N ，
TIC246S
电气特性
TC = 25° C除非另有说明
符号
I
DRM
评级
测试条件（S ）
民
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
±1.2
典型值
-
12
-19
-16
34
0.8
-0.8
-0.8
0.9
22
-22
-
-
±1.4
±400
±100
±9
最大
±2
50
-50
-50
-
2
-2
-2
2
40
单位
mA
I
GT
V
GT
I
H
I
L
V
TM
dv / dt的
的di / dt
dv / dt的
©
重复峰值V
D
=额定V
DRM
, , I
G
= 0
断态电流T
C
= 110°C
V
供应
= + 12V † ，R
L
= 10
Ω,
t
P（ G）
= > 20微秒
V
供应
= + 12V † ，R
L
= 10
Ω,
t
P（ G）
= > 20微秒
门极触发
当前
V
供应
= -12 V † ，R
L
= 10
Ω,
t
P（ G）
= > 20微秒
V
供应
= -12 V † ，R
L
= 10
Ω,
t
P（ G）
= > 20微秒
V
供应
= + 12V † ，R
L
= 10
Ω,
t
P（ G）
= > 20微秒
V
供应
= + 12V † ，R
L
= 10
Ω,
t
P（ G）
= > 20微秒
门极触发
电压
V
供应
= -12 V † ，R
L
= 10
Ω,
t
P（ G）
= > 20微秒
V
供应
= -12 V † ，R
L
= 10
Ω,
t
P（ G）
= > 20微秒
V
供应
= + 12V † ，我
G
= 0
保持电流开始我
TM
= 100毫安
V
供应
= -12 V † ，我
G
= 0
开始我
TM
= -100毫安
V
供应
= + 12V † （ seeNote5 ）
锁定
当前
V
供应
= -12 V † （ seeNote5 ）
峰值通态
I
TM
= ± 22.5 A，I
G
= 50 MA（见注4 ）
电压
临界速度
V
DRM
=额定V
DRM
, I
G
= 0
对关闭状态上升
T
C
= 110°C
电压
临界速度
V
DRM
=额定V
DRM
, I
GT
= 50毫安
对关闭状态上升
di
G
/ DT = 50毫安/微秒，T
C
= 110°C
当前
关键崛起
V
DRM
=额定V
DRM
, I
T
= 1.4 I
T（ RMS ）
通讯
的di / dt = 0.5我
T（ RMS ）
/ MS ，T
C
= 80°C
电压
mA
V
mA
-40
80
-80
±1.7
-
-
-
mA
V
V / μs的
A / μs的
V / μs的
†
所有的电压都是白衣对于主终端1 。
注意事项：
1.
2.
3.
4.
5.
这些值适用于双向门和主终端1之间的电阻为任意值。
此值适用于带阻性负载50赫兹全正弦波操作。超过70 °C减免线性地
110 ℃的外壳温度为400毫安/速率℃。
该值适用于一个50赫兹的全正弦波时，器件工作在（或以下）的额定
峰值反向电压和通态电流值。浪涌可以重复该装置具有后
返回到原来的热平衡。
该参数必须使用脉冲技术进行测量，T
W
=
≤1ms,
占空比
≤
2％ ，电压 -
传感
接触，分离了courrent承载触点位于内3.2毫米（1/8英寸）的
从德装置主体。
该三端双向可控硅是由与发电机提供的15 -V （开路幅度）脉冲触发
以下特征：v
G
= 100Ω, t
P（ G）
= 20微秒，T
r
=
≤
为15ns ， F = 1千赫。
30/10/2012
半导体COMSET
2|3
COMSET [ COMSET SEMICONDUCTOR ]
