半导体
TIC226A ， TIC226B ， TIC226C ， TIC226D ， TIC226E ， TIC226M ，
TIC226N ， TIC226S
注意事项：
1.
2.
3.
4.
5.
这些值适用于双向地对电阻的栅极与主终端之间的任意值
1.
此值适用于带阻性负载50赫兹全正弦波操作。高于85 °C减免
线性为320毫安/速率℃， 110 ℃的外壳温度。
该值适用于一个50赫兹的全正弦波时，器件工作在（或以下）的额定
通态电流的值。电涌可能会重复后，设备又恢复到原来的热
平衡状态。在激增，门控可能会丢失。
该值适用于一个50赫兹的半正弦波，当器件工作在（或以下）的额定
通态电流的值。电涌可能会重复后，设备又恢复到原来的热
平衡状态。在激增，门控可能会丢失。
该值适用于20ms的最大平均时间。
热特性
符号
R
θJC
R
θJA
评级
结到外壳热阻
结到自由空气的热阻
价值
≤
1.8
≤
62.5
单位
° C / W
电气特性
TC = 25° C除非另有说明
符号
I
DRM
评级
场外重复峰值
目前状态
门极触发电流
测试条件（S ）
V
D
=额定V
DRM
, , I
G
= 0,
T
C
= 110°C
V
供应
= + 12V † ，R
L
= 10
Ω,
t
P（ G）
= > 20微秒
V
供应
= + 12V † ，R
L
= 10
Ω,
t
P（ G）
= > 20微秒
V
供应
= -12 V † ，R
L
= 10
Ω,
t
P（ G）
= > 20微秒
V
供应
= -12 V † ，R
L
= 10
Ω,
t
P（ G）
= > 20微秒
V
供应
= + 12V † ，R
L
= 10
Ω,
t
P（ G）
= > 20微秒
V
供应
= + 12V † ，R
L
= 10
Ω,
t
P（ G）
= > 20微秒
V
供应
= -12 V † ，R
L
= 10
Ω,
t
P（ G）
= > 20微秒
V
供应
= -12 V † ，R
L
= 10
Ω,
t
P（ G）
= > 20微秒
V
供应
= + 12V † ，我
G
= 0,
开始我
TM
= 100毫安
V
供应
= -12 V † ，我
G
= 0,
开始我
TM
= -100毫安
最小值典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
±5
-
2
-12
-9
20
0.7
-0.8
-0.8
0.9
5
-9
-
-
±1.6
±100
-
MX单位
±2
50
-50
-50
-
2
-2
-2
2
30
mA
-30
50
-50
±2.1
-
V / μs的
-
mA
V
mA
I
GT
mA
V
GT
门极触发电压
V
I
H
保持电流
I
L
V
TM
dv / dt的
dv / dt的
©
闭锁电流
峰值通态电压
的临界上升率
断态电压
关键崛起
交流电压
V
供应
= + 12V † （ seeNote7 ）
V
供应
= -12 V † （ seeNote7 ）
I
TM
= ± 12 A，I
G
= 50 MA（见注6 ）
V
DRM
=额定V
DRM
, I
G
= 0
T
C
= 110°C
V
DRM
=额定V
DRM
, I
TRM
= ± 12A
T
C
= 85°C
†所有的电压都是白衣对于主终端1 。
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