TIC206B 参数 Datasheet PDF下载

型号：	TIC206B
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内容描述：	硅双向晶闸管 [SILICON BIDIRECTIONAL TRIODE THYRISTOR]
分类和应用：	栅极触发装置三端双向交流开关
文件页数/大小：	4 页 / 164 K
品牌：	COMSET [ COMSET SEMICONDUCTOR ]

半导体

TIC206A ， TIC206B ， TIC206D ， TIC206M ， TIC206N ， TIC206S

热特性

符号

θJC

θJA

评级

结到外壳热阻

结到自由空气的热阻

价值

≤

7.8

≤

62.5

单位

° C / W

电气特性

TC = 25° C除非另有说明

符号

DRM

评级

重复峰值

Ø FF-态电流

门极触发电流

测试条件（S ）

=额定V

DRM

, , I

= 0

= 110°C

供应

= + 12V † ，R

= 10

Ω,

P（ G）

= > 20微秒

供应

= + 12V † ，R

= 10

Ω,

P（ G）

= > 20微秒

供应

= -12 V † ，R

= 10

Ω,

P（ G）

= > 20微秒

供应

= -12 V † ，R

= 10

Ω,

P（ G）

= > 20微秒

供应

= + 12V † ，R

= 10

Ω,

P（ G）

= > 20微秒

供应

= + 12V † ，R

= 10

Ω,

P（ G）

= > 20微秒

供应

= -12 V † ，R

= 10

Ω,

P（ G）

= > 20微秒

供应

= -12 V † ，R

= 10

Ω,

P（ G）

= > 20微秒

供应

= + 12V † ，我

= 0

开始我

= 100毫安

供应

= -12 V † ，我

= 0

开始我

= -100毫安

民

±1

典型值

0.5

-1.5

-2

3.6

0.7

-0.7

-0.8

0.8

-4

±1.3

±50

±1.3

最大

±1

-5

-2

单位

门极触发电压

保持电流

-15

-30

±2.2

V / μs的

±2.5

闭锁电流

供应

= + 12V † （ seeNote7 ）

供应

= -12 V † （ seeNote7 ）

峰值通态

= ± 4.2 A，I

= 50 MA（见注6 ）

电压

V的临界上升率

DRM

=额定V

DRM

, I

= 0

dv / dt的

= 110°C

断态电压

关键崛起

DRM

=额定V

DRM

, I

TRM

= ± 4.2A

通讯

dv / dt的

= 85°C

电压

†

所有的电压都是白衣对于主终端1 。

30/10/2012

半导体COMSET

2|4

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