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    TIC116D 参数 Datasheet PDF下载

    TIC116D图片预览
    型号： TIC116D
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： PNPN硅反向阻断晶闸管 [P-N-P-N SILICON REVERSE-BLOCKING TRIODE THYRISTORS]
    分类和应用： 触发装置可控硅整流器
    文件页数/大小： 4 页 / 164 K
    品牌： COMSET [ COMSET SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号TIC116D的Datasheet PDF文件第1页浏览型号TIC116D的Datasheet PDF文件第3页浏览型号TIC116D的Datasheet PDF文件第4页  
    半导体
    TIC116A ， TIC116B ， TIC116C ， TIC116D ， TIC116E ， TIC116M ，
    TIC116N ， TIC116S
    热特性
    符号
    t
    gt
    t
    q
    R
    θJC
    R
    θJA
    评级
    门控
    V
    AA
    = 30 V ，R
    L
    = 6 ,
    R
    GK （ EFF ）
    = 100 , V
    in
    = 20 V
    开启时间
    电路交流
    V
    AA
    = 30 V ，R
    L
    = 6 , I
    RM
    ≈
    10 A
    打开-O FF时间
    结到外壳热阻
    结到自由空气的热阻
    价值
    0.8
    单位
    µs
    11
    ≤
    3
    ≤
    62.5
    ° C / W
    电气特性
    TC = 25° C除非另有说明
    符号
    I
    DRM
    I
    RRM
    I
    GT
    评级
    重复峰值断态
    当前
    反向重复峰值
    当前
    门极触发电流
    测试条件（S ）
    V
    D
    =额定V
    DRM
    , R
    GK
    = 1 kΩ
    T
    C
    = 110°C
    V
    R
    =额定V
    RRM
    , I
    G
    = 0
    T
    C
    = 110°C
    V
    AA
    = 6 V ，R
    L
    = 100
    Ω
    t
    P（ G）
    ≥
    20µs
    V
    AA
    = 6 V ，R
    L
    = 100
    Ω
    R
    GK
    = 1千欧，T
    P（ G）
    ≥
    20µs
    T
    C
    = -40°C
    V
    AA
    = 6 V ，R
    L
    = 100
    Ω
    R
    GK
    = 1千欧，T
    P（ G）
    ≥
    20µs
    V
    AA
    = 6 V ，R
    L
    = 100
    Ω
    R
    GK
    = 1千欧，T
    P（ G）
    ≥
    20µs
    T
    C
    = 110°C
    V
    AA
    = 6 V ，R
    GK
    = 1 kΩ
    开始我
    T
    = 100毫安
    V
    AA
    = 6 V ，R
    GK
    = 1 kΩ
    开始我
    T
    = 100毫安
    T
    C
    = -40°C
    I
    TM
    = 8A （见注6 ）
    V
    D
    =额定V
    D
    T
    C
    = 110°C
    民
    -
    -
    -
    -
    -
    0.2
    -
    -
    -
    -
    典型值
    -
    -
    5
    -
    0.8
    -
    -
    -
    -
    100
    最大
    2
    2
    20
    2.5
    1.5
    -
    40
    单位
    mA
    mA
    mA
    V
    GT
    门极触发电压
    V
    I
    H
    保持电流
    mA
    70
    1.7
    -
    V
    V / μs的
    V
    TM
    dv / dt的
    峰值通态电压
    场外的临界上升率
    态电压
    29/10/2012
    半导体COMSET
    2|4

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