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MJE13007 参数 Datasheet PDF下载

MJE13007图片预览

型号：	MJE13007
PDF下载：	下载PDF文件查看货源
内容描述：	硅功率晶体管 [SILICON POWER TRANSISTORS]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	3 页 / 101 K
品牌：	COMSET [ COMSET SEMICONDUCTOR ]

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浏览型号MJE13007的Datasheet PDF文件第3页

半导体

MJE13007

电气特性

TC = 25° C除非另有说明

符号

V

首席执行官

I

CBO

评级

集电极 - 发射极

维持电压（ * ）

集电极截止电流

测试条件（S ）

I

C

= 10 mA时，我

B

= 0

民

400

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

8

5

4

-

典型值

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

80

Mx

-

0.1

1

0.1

1

2

3

13

1.2

1.6

1.5

40

30

-

-

单位

V

mA

mA

V

T

C

= 25°C

V

CB

= 700 V

I

B

= 0

T

C

= 125°C

发射Cuto FF电流

V

EB

= 9 V，I

C

= 0

I

EBO

I

C

= 2 A，I

B

= 400毫安

T

C

= 25°C

I

C

= 5 A

集电极 - 发射极

V

CE （ SAT ）

I

B

= 1 A

T

C

= 100°C

饱和电压（ * ）

I

C

= 8 A，I

B

= 2 A

I

C

= 2 A，I

B

= 400毫安

基射极饱和

T

C

= 25°C

V

BE （ SAT ）

I

C

= 5 A

电压（*）

I

B

= 1 A

T

C

= 100°C

正向电流传输V

CE

= 5.0 V，I

C

= 2 A

h

FE

比（ *）

V

CE

= 5.0 V，I

C

= 5 A

跃迁频率

V

CE

= 10 V，I

C

= 0.5 A ， F = 1兆赫

f

T

输出电容

I

E

= 0 ; V

CB

= 10 V ; F = 1 MHz的

C

OB

（ * ）脉冲宽度

≈

300

µs,

占空比

∠

2.0%

V

-

兆赫

pF

开关时间。

符号

t

d

t

r

t

s

t

f

.

评级

延迟时间

上升时间

贮存时间

下降时间

测试条件（S ）

V

CC

= 125 V ;我

C

= 5 A

I

B1

= -I

B2

= 1毫安

t

p

= 25微秒，占空比<1 ％。

民

-

-

-

-

典型值

-

-

-

-

最大

0.1

1.5

3

0.7

单位

µs

02/10/2012

半导体COMSET

2/3

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