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    MJ4033_12 参数 Datasheet PDF下载

    MJ4033_12图片预览
    型号： MJ4033_12
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 中功率互补硅晶体管 [MEDIUM POWER COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 3 页 / 79 K
    品牌： COMSET [ COMSET SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号MJ4033_12的Datasheet PDF文件第1页浏览型号MJ4033_12的Datasheet PDF文件第3页  
    NPN MJ4033 - MJ4034 - MJ4035
    电气特性
    TC = 25° C除非另有说明
    符号
    V
    首席执行官
    评级
    集电极 - 发射极
    电压（*）
    收藏家Cuto FF电流
    测试条件（S ）
    I
    C
    = 100毫安，我
    B
    =0
    V
    CE
    = 30伏直流电，我
    B
    =0
    V
    CE
    = 40 VDC ，我
    B
    =0
    V
    CE
    = 50 V，I
    B
    =0
    V
    BE
    = 5.0 V，I
    C
    =0
    V
    CB
    =60 V
    R
    BE
    =1.0 kΩ
    V
    CB
    =80 V
    R
    BE
    =1.0 kΩ
    V
    CB
    =100 V
    R
    BE
    =1.0 kΩ
    V
    CB
    =60 V
    R
    BE
    =1.0 kΩ
    T
    C
    =150°C
    V
    CB
    =80 V
    R
    BE
    =1.0 kΩ
    T
    C
    =150°C
    V
    CB
    =100 V
    R
    BE
    =1.0 kΩ
    T
    C
    =150°C
    I
    C
    =10 A
    I
    B
    = 40毫安
    I
    C
    =16 A
    I
    B
    ± 80毫安
    I
    C
    =10 A
    V
    CE
    =3.0V
    V
    CE
    =10 V
    I
    C
    =3.0 A
    MJ4033
    MJ4034
    MJ4035
    MJ4033
    MJ4034
    MJ4035
    MJ4033
    MJ4034
    MJ4035
    MJ4033
    MJ4034
    MJ4035
    MJ4033
    民
    60
    80
    100
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    典型值
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    最大
    -
    -
    单位
    V
    I
    首席执行官
    3.0
    mA
    I
    EBO
    发射Cuto FF电流
    5.0
    mA
    1.0
    I
    CER
    集电极 - 射极漏泄
    当前
    -
    -
    MADC
    MJ4034
    -
    -
    5.0
    MJ4035
    MJ4033
    MJ4034
    MJ4035
    MJ4033
    MJ4034
    MJ4035
    MJ4033
    MJ4034
    MJ4035
    MJ4033
    MJ4034
    MJ4035
    -
    -
    2.5
    VDC
    V
    CE （ SAT ）
    集电极 - 发射极饱和
    电压（*）
    -
    -
    4.0
    V
    BE
    基射极电压（ * ）
    -
    -
    3
    V
    h
    FE
    直流电流增益（ * ）
    1000
    -
    -
    -
    （ * ）脉冲宽度
    ≈
    300
    µs,
    占空比
    ∠
    2.0%
    29/10/2012
    半导体COMSET
    2|3

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