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MJ1000_12 参数 Datasheet PDF下载

MJ1000_12图片预览
型号: MJ1000_12
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内容描述: 互补发电DARLINGTONS [COMPLEMENTARY POWER DARLINGTONS]
分类和应用:
文件页数/大小: 3 页 / 78 K
品牌: COMSET [ COMSET SEMICONDUCTOR ]
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NPN MJ1000 - MJ1001
电气特性
TC = 25° C除非另有说明
符号
V
首席执行官
I
首席执行官
I
EBO
评级
集电极 - 发射极
击穿电压( * )
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
测试条件(S )
I
C
= 100毫安,我
B
=0
V
CE
= 30 V,I
B
=0
V
CE
= 40 V,I
B
=0
V
BE
= 5.0 V,I
C
=0
MJ1000
MJ1001
MJ1000
MJ1001
MJ1000
MJ1001
MJ1000
MJ1001
MJ1000
60
80
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
最大
-
-
500
2.0
单位
V
µA
mA
I
CER
V
CB
=60 V,
R
BE
=1.0 kΩ
V
CB
=80 V
R = 1.0千欧
集电极 - 射极漏泄
BE
V
CB
=60 V
当前
R
BE
=1.0 kΩ
T
C
=150°C
V
CB
=80 V
R
BE
=1.0 kΩ
T
C
=150°C
集电极 - 发射极
饱和电压( * )
正向电压(脉冲
法)
基射极电压( * )
I
C
= 3.0 A,I
B
= 2毫安
I
C
= 8.0 A,I
B
= 40毫安
1.0
-
-
5.0
MJ1001
MJ1000
MJ1001
MJ1000
MJ1001
MJ1000
MJ1001
MJ1000
MJ1001
MJ1000
MJ1001
MJ1000
MJ1001
-
-
-
-
-
1000
750
-
-
-
1.8
-
-
-
2.0
V
4.0
-
2.5
-
-
-
V
V
mA
V
CE ( SAT )
V
F
V
BE
I
F
=3 A
I
C
= 3.0 A,V
CE
=3.0 V
V
CE
= 3.0 V,I
C
=3.0 A
H
FE
直流电流增益( * )
V
CE
= 3.0 V,I
C
=4.0 A
( * )脉冲宽度
300
µs,
占空比
2.0%
29/10/2012
半导体COMSET
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