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    BUZ31 参数 Datasheet PDF下载

    BUZ31图片预览
    型号： BUZ31
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 功率MOS晶体管 [POWER MOS TRANSISTORS]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 3 页 / 106 K
    品牌： COMSET [ COMSET SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号BUZ31的Datasheet PDF文件第1页浏览型号BUZ31的Datasheet PDF文件第3页  
    半导体
    BUZ31
    电气特性
    TC = 25° C除非另有说明
    符号
    V
    DSS
    V
    GS （ TH）
    I
    DSS
    I
    GSS
    R
    DS （ ON）
    评级
    漏源击穿
    电压
    栅极阈值电压
    零栅压漏
    当前
    栅极 - 源极漏电流
    漏源导通电阻
    测试条件（S ）
    I
    D
    = 250 μA ，V
    GS
    = 0 V
    I
    D
    = 1毫安， V
    GS
    = V
    DS
    V
    DS
    = 200 V, V
    GS
    = 0 V
    T
    j
    = 25 °C
    V
    DS
    = 200 V, V
    GS
    = 0 V
    T
    j
    = 125 °C
    V
    GS
    = 20 V, V
    DS
    = 0 V
    I
    D
    9 = A，V
    GS
    = 10 V
    民
    200
    2.1
    -
    -
    -
    -
    典型值
    -
    3
    0.1
    1
    10
    0.16
    最大
    -
    4
    1
    单位
    V
    V
    µA
    100
    100
    0.2
    nA
    Ω
    动态特性
    符号
    g
    fs
    C
    国际空间站
    C
    OSS
    C
    RSS
    t
    D（上）
    t
    r
    t
    D（关闭）
    t
    f
    评级
    跨
    输入电容
    输出电容
    反向传输电容
    导通延迟时间
    上升时间
    打开-O FF延迟时间
    下降时间
    测试条件（S ）
    V
    DS
    >2 * I
    D
    * R
    DS （ ON）最大值
    I
    D
    = 9 A
    V
    GS
    = 0 V, V
    DS
    = 25 V
    F = 1MHz的
    民
    3
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    典型值
    4.2
    840
    180
    95
    12
    50
    150
    60
    最大
    -
    1120
    270
    150
    20
    75
    200
    80
    单位
    S
    pF
    V
    DD
    = 30 V, V
    GS
    = 10 V
    I
    D
    = 3 A，R
    GS
    = 50
    Ω
    ns
    反向二极管
    符号
    I
    S
    I
    SM
    V
    SD
    T
    rr
    Q
    rr
    评级
    逆二极管连续
    正向电流。
    逆二极管直流，
    脉冲。
    逆二极管正向电压
    反向恢复时间
    反向恢复电荷
    测试条件（S ）
    T
    C
    = 25°C
    T
    C
    = 25°C
    V
    GS
    = 0 V，I
    F
    = 29 A
    V
    R
    = 100 V，I
    F
    = I
    S
    di
    F
    / DT = 100 A / μs的
    民
    -
    -
    -
    -
    -
    典型值
    -
    -
    1.1
    170
    1.1
    最大
    14.5
    58
    1.6
    -
    -
    单位
    A
    V
    ns
    µC
    01/10/2012
    半导体COMSET
    2/3

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