BUX41N 参数 Datasheet PDF下载

型号：	BUX41N
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内容描述：	大电流，高转速，高功率晶体管 [HIGH CURRENT, HIGH SPEED, HIGH POWER TRANSISTOR]
分类和应用：	晶体晶体管高功率电源
文件页数/大小：	3 页 / 79 K
品牌：	COMSET [ COMSET SEMICONDUCTOR ]

NPN BUX41N

电气特性

TC = 25° C除非另有说明

符号

CEO （ SUS ）

EBO

首席执行官

CEX

EBO

CE （ SAT ）

BE （ SAT ）

S / B

评级

集电极 - 发射极可持续

电压（*）

发射极 - 基极电压

收藏家Cuto FF电流

发射Cuto FF电流

直流电流增益（ * ）

测试条件（S ）

= 200毫安

= 0 ，我

= 50毫安

= 130 V，I

= 0 A

= 220 V, V

= -1.5 V

= 220 V

= -1.5 V

例

= 125°C

= 5.0 V，I

= 0 A

= 8 A，V

= 4.0 V

= 12 A，V

= 4.0 V

= 8 A，I

= 0.8 A

= 12 A，I

= 1.5 A

民

160

0.27

典型值

0.5

0.75

1.5

0.35

0.85

0.14

最大单位

1.2

1.6

1.3

1.5

0.8

µs

兆赫

集电极 - 发射极饱和

电压（*）

基射极饱和电压

= 12 A，I

= 1.5 A

(*)

= 30 V ，T

= 1s

第二击穿集电极

当前

= 100 V，T

= 1s

钳

= 160 V

钳位ê

S / B

集电极电流

L = 500 μH

= 15 V，I

= 1 A

跃迁频率

F = 10MHz的

= 12 A，I

= 1.5 A

开启时间

= 30 V

贮存时间

文件时间

= 12 A，V

= 30 V

= -I

= 1.5 A

（ * ）脉冲宽度= 300

µs,

占空比< = 2 ％

01/10/2012

半导体COMSET

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